Initial Stage of Microcrystalline Silicon Growth by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
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概要
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We report the initial stage of growth of hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) film with less than 500 Å thick by conventional rf plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Through studies of film deposited on thermally grown SiO_2 with various types of morphology and film grown by a layer-by-layer (LbL) technique, it was found that the crystallinity strongly influenced on the induced surface roughness and it correlated with the SiH_2/SiH intensity ratio. The thin film transistor (TFT) characteristics are determined not only by the film crystallinity but alsso by the morphology of SiO_2 substrate, which suggest that the formation of the crystallite phase at the early stage of growth without increasing the interface roughness is essential for further improvement of the carrier transport properties.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1996-09-15
著者
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Arai Takeshi
Faculty Of Pharmaceutical Sciences Josai University
-
Arai Takeshi
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
新井 豊子
金大院自然
-
Shirai Hajime
Faculty Of Engineering Saitama University
-
NAKAMURA Takuya
Faculty of Engineering, Saitama University
-
Arai Takeshi
Faculty Of Engineering Saitama University
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