Application of Sr_2Nb_2O_7 Family Ferroelectric Films for Ferroelectric Memory Field Effect Transistor
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概要
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- Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
- 1998-09-01
著者
-
Izumi Naoki
Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
中村 高遠
静大院理工
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
FUJIMORI Yoshikazu
Process Technology Div., ULSI Research and Development Headquarters, ROHM CO., LTD.
-
NAKAMURA Takashi
Process Technology Div., ULSI Research and Development Headquarters, ROHM CO., LTD.
-
KAMISAWA Akira
Process Technology Div., ULSI Research and Development Headquarters, ROHM CO., LTD.
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Kamisawa A
Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
Kamisawa Akira
Process Technology Div. Semiconductor Research And Development Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
Kamisawa Takashi
Process Technology Div., ULSI R&D Headquarters, ROHM CO., LTD.,
-
Fujimori Y
Device Technology Div. Semiconductor Research And Development Headquarters Rohm Co. Ltd.
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