Development of Low Dielectric Constant Ferroelectric Materials for the Ferroelectric Memory Feild Effect Transistor
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1997-09-30
著者
-
Nakamura Takashi
Rohm Co. Ltd.
-
Izumi Naoki
Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
-
FUJIMORI Yoshikazu
ROHM Co., Ltd.
-
IZUMI Naoki
ROHM Co., Ltd.
-
KAMISAWA Akira
ROHM Co., Ltd.
-
SHIGEMATSU Yasuhiro
ROHM Co., Ltd.
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
-
Kamisawa A
Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
Fujimori Y
Device Technology Div. Semiconductor Research And Development Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
Shigematsu Yasuhiro
Rohm Co. Ltd.
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