Study of Ferroelectric Materials for Ferroelectric Memory FET(Special Issue on Advanced Memory Devices Using High-ε and Ferroelectric Films)
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概要
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In this paper, we discuss ferroelectric materials suitable for a metal ferroelectric metal insulator semiconductor FET (MFMIS FET). It is important for a ferroelectric material to have a low dielectric constant to enable the application of sufficient electric field to a ferroelectric layer. Films of Sr_2Nb_2O_7 (SNO) and Sr_2 (Ta_<1-x>Nb_x)_2O_7 (STNO) were prepared by the sol-gel method on Pt/IrO_2 electrodes for an MFMIS FET. The ferroelectricities of STNO films were confirmed in the range of x=0.1-0.3. In case of x=0.3, the largest remanent polarization was obtained in the hysteresis loop. The remanent polarization and the coercive field are 0.5μC/cm^2 and 44kV/cm, respectively. The film had a low dielectric constant (ε=53). It is considered that the characteristics of STNO thin films are suitable for MFMIS FET.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-04-25
著者
-
Izumi Naoki
Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
中村 高遠
静大院理工
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
-
FUJIMORI Yoshikazu
The authors are with the Process Technology Div. ULSI Research and Development Headquaters, ROHM CO.
-
IZUMI Naoki
The authors are with the Process Technology Div. ULSI Research and Development Headquaters, ROHM CO.
-
NAKAMURA Takashi
The authores are with the Process Technology Div. ULSI Research and Development Headquaters, ROHM CO
-
KAMISAWA Akira
The authores are with the Process Technology Div. ULSI Research and Development Headquaters, ROHM CO
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
-
Kamisawa A
Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
Fujimori Y
Device Technology Div. Semiconductor Research And Development Headquarters Rohm Co. Ltd.
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