Preparation of Pb(Zr,Ti)O_3 Films on Pi/Ti/Ta Electrodes by Sol-Get Process
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1993-09-30
著者
-
Nakamura Takashi
Rohm Co. Ltd.
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
SOYAMA Nobuyuki
Mitsubishi Materials Corporation, Development Section, Sanda Plant
-
OGI Katsumi
Mitsubishi Materials Corporation, Central Research Institute
-
OGI Katsumi
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporaltion
-
KAMISAWA Akira
ROHM Co., Ltd.
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Ogi K
Mitsubishi Materials Corporation Central Research Institute
-
Kamisawa A
Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
ATSUKI Tsutomu
Central Research Institute, Mitsubishi Material Corporation
-
Atsuki T
Mitsubishi Materials Corporation Central Research Institute
-
Atsuki Tsutomu
Central Research Institute Mitsubishi Materials Corporation
-
NAKAO Yuichi
Rohm Co., Ltd.
-
SAMESHIMA Katsumi
ROHM Co., Ltd.
-
HOSHIBA Kazuhiro
ROHM Co., Ltd.
-
SOYAMA Nobuyuki
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
-
Soyama Nobuyuki
Mitsubishi Materials Corporation Development Section Sanda Plant
-
Nakao Y
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Hoshiba Kazuhiro
Rohm Co. Ltd.
-
Sameshima K
Rohm Co. Ltd. Kyoto Jpn
関連論文
- 23pRS-2 高速点火用コーン付きシェルターゲットの爆縮(核融合プラズマ(慣性閉じ込め),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核談合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 24aRS-10 超高強度レーザー生成プラズマからの放射X線の偏光度分布と高速電子輸送(核融合プラズマ(慣性閉じ込め),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核談合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 24aRS-11 X線偏光分光計測による超高強度レーザー生成高速電子輸送のレーザー偏光依存性の観測(核融合プラズマ(慣性閉じ込め),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核談合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 24aRS-12 偏光X線分光法による衝突輻射モデルと電子衝突磁気副準位別断面積の理論的研究(核融合プラズマ(慣性閉じ込め),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核談合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- Characterization of SiC power module for high switching frequency operation
- Electron transport in a gold nanoparticle assembly structure stabilized by a physisorbed porphyrin derivative
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 20pZB-3 高速点火の先進ターゲットによる非球対称爆縮の設計(20pZB 慣性核融合(高速点火),チュートリアル講演,領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 23pRE-8 レーザー照射によるガス密度プラズマ中での磁気渦形成(プラズマ基礎(高エネルギー密度プラズマ),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 24pQE-5 FIREX-Iにおけるコア加熱特性 : コーンチップの影響(慣性核融合(ハイドロ・診断・高速点火),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 24pQE-10 高速点火における高速電子ビームの生成制御(慣性核融合(ハイドロ・診断・高速点火),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 22aTA-6 超高強度レーザー照射によるシース場の表面移動とプロトン加速(高エネルギー密度プラズマ物理,22aTA 領域2,ビーム物理領域合同セッション,ビーム物理領域)
- 24aRS-4 非球対称爆縮コアの挙動特性に関する数値解析(核融合プラズマ(慣性閉じ込め),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核談合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- ハライドVPEによる紫外発光ZnO薄膜の作製
- ハライドVPEによる紫外発光ZnO薄膜の作製
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- 24aRS-5 固体ターゲット中の高速電子輸送に対する統合シミュレーション解析(核融合プラズマ(慣性閉じ込め),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核談合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- Study of π^+π^- Pair Production in a Two-Photon Process at TRISTAN : VENUS Collaboration
- 4-3 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性
- Optimally Stable Electron Cyclotron Resonance Plasma Generation and Essential Points for Compact Plasma Source
- Multi-Coil System for Electron Cyclcotron Resonance Plasma Generation
- Uniform Electron Cyclotron Resonance Plasma Generation for Precise ULSI Patterning
- Dependence of Electron Cyclotron Resonance Plasma Characteristics on Introduced Microwave Conditions
- 電気化学析出法による非晶質酸化ビスマス薄膜の作製
- AP-HCVD法により作製したσ-Bi_2O_3薄膜へのガス供給の影響と表面モフォロジー
- 17aD01 大気圧ハライド気相成長法によるYSZ(111)基板上へのδ-Bi_2O_3薄膜の作製(結晶成長基礎(1),第35回結晶成長国内会議)
- 大気圧ハライド気相成長法によるδ-Bi2O3薄膜の作製と薄膜構造評価用X線回折装置による結晶性評価
- 薄膜化プロセスにより実現した室温で安定な螢石型酸化ビスマスの作製
- オプトアジレント機能を有する金属窒化物薄膜の創製--金属窒化物薄膜の不思議な機能
- ユーロピウムをドープした青色および緑色発光アルミン酸塩のEPR評価
- ユーロピウムをドープした青色および緑色発光アルミン酸塩のEPR評価
- 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- ゾル-ゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光特性
- 赤色発光SrTiO_3:PrAl蛍光体におけるAl添加効果
- ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光
- Preparation of aluminum oxide films at low temperatures by a hot wall technique
- 常磁性共鳴における新しい展開
- Dependence of Cathodoluminescent and Electrical Properties of Phosphors with Conducting Layer by Sol-Gel Method on Layer Thickness
- Improvement of Low Voltage Cathodoluminescent Properties of Zinc Sulfide Phosphors by Sol-Gel Method
- Red Electroluminescent Devices Using Mn-Doped CdS(Se)- and CdTe-ZnS Superlattices
- Charge Ordering in α-(BEDT-TTF)_2I_3 by Synchrotron X-ray Diffraction(Condensed matter : electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- 希土類付活SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- 18-1 低速電子線励起時における蛍光体表面の電位変化
- 14)蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察(情報ディスプレイ研究会)
- 蛍光体表面の改質による低速電子励起発光特性の向上
- 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
- 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
- 4-5 低速電子線励起における蛍光体の発光特性の改善
- 15)ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- ゾルーゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- 遷移金属付活Ga_2O_3薄膜の製法と構造及び発光特性
- 遷移金属付活Ga_2O_3薄膜の製法と構造及び発光特性
- 21aTB-1 シリカエアロゲルターゲットを用いた超高強度レーザーによる高速イオンの発生(プラズマ科学(高エネルギー密度プラズマ,液中プラズマ),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核談合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- Microwave Dielectric Characteristics of Ilmenite-Type Titanates with High Q Values ( FERROELECTRIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS)
- Contact Structure for a Superconducting Field Effect Transistor Using SrTiO_3/YBa_2Cu_3O_ Films
- In Situ Surface Characterization of SrTiO_3(100)Substrates for Well-defined SrTiO_3 and YBa_2Cu_3O_ Thin Film Growth
- In Situ Surface Characterization of YBa_2Cu_3O_ Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition
- ZnS:Cu,Br蛍光体中の不純物準位
- 常磁性共鳴によるII-VI化合物薄膜および超格子材料の局所歪
- Eu付活アルミン酸ストロンチウム蛍光体の残光特性に及ぼす共付活希土類イオンの影響
- Does the Macrostructure of Deoxyribonucleic Acid Molecules Adsorbed on Substrates by the Pulse Injection Method Reflect That in Solution?
- Real Space Observation of Double-Helix DNA Structure Using a Low Temperature Scanning Tunneling Microscopy
- Reaction Mechanism of Alkoxy Derivatives of Titanium Diketonates as Source Molecules in Liquid Source Metalorganic Chemical Vapor Deposition of (Ba,Sr)TiO_3 Films : A Study by In Situ Infrared Absorption Spectroscopy
- Effects of O_2 Gas on Reaction Mechanisms in the Chemical Vapor Deposition of (Ba, Sr)TiO_3 Thin Film
- Film Precursor Formation in Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Barium Strontium Titanate Films : A Study by Microdischarge Optical Emission Spectroscopy
- Formation Mechanism of Strontium and Titaniuln Oxide Fillns by Metalorganlc Chemlcal Vapor Deposition: An Isotopic Labeling Study Using ^O_2 : Atoms, Molecules, and Chemical Physics
- Diagnosis of Oxidation Reactions in Metalorganic Chemical Vapor Deposition of (Ba,Sr)TiO_3 Films by In Situ Fourier Transform Infrared Spectroscopy
- Effects of Gas-Phase Thermal Decompositions of Chemical Vapor Deposition Source Molecules on the Deposition of(Ba, Sr)TiO_3 Films : A Study by In Situ Fourier Transform Infared Spectroscopy
- Gas Phase Reactions in the MOCVD of (Ba, Sr)TiO_3 Films : A Study by Microdischarge Optical Emission Spectroscopy
- Microdischarge Optical Emission Spectroscopy as a Novel Diagnostic Tool for Metalorganic Chemical Vapor Deposition of(Ba, Sr)TiO_3 Films
- Properties of Ferroelectric Memory FET Using Sr_2(Ta,Nb)_2O_7 Thin Film
- Application of Sr_2Nb_2O_7 Family Ferroelectric Films for Ferroelectric Memory Field Effect Transistor
- Study of Ferroelectric Materials for Ferroelectric Memory FET(Special Issue on Advanced Memory Devices Using High-ε and Ferroelectric Films)
- Properties of Ferroelectric Memory with Ir System Materials as Electrodes(Special Issue on Advanced Memory Devices Using High-ε and Ferroelectric Films)
- Fabrication Technology of Ferroelectric Memories
- Development of Low Dielectric Constant Ferroelectric Materials for the Ferroelectric Memory Feild Effect Transistor
- Fabrication Technology of Ferroelectric Memories
- Trapping of Multiply Charged Ta Ions produced by Laser Ablation in an Ion Trap
- Langmuir Layers and Langmuir-Blodgett Films of Bis-tetrathiafulvalene Annelated Macrocycle
- 4-5 ゾル-ゲル法による蛍光体の発光特性改善
- Langmuir-Blodgett Films of Charge-Transfer Complexes : Ethylenedithio-Substituted Amphiphilic Bis-TTF Macrocycle and F_4TCNQ or Br_2TCNQ
- Behavior of Active and Inactive Boron in Si Produced by Vapor-Phase Doping during Subsequent Hydrogen Annealing
- Subquarter-Micrometer PMOSFET's with 50-nm Source and Drain Formed by Rapid Vapor-Phase Doping (RVD) (Special Issue on Quarter Micron Si Device and Process Technologies)
- MEASUREMENT OF REACTION RATE COEFFICIENT OF LASER-EXCITED Ca^+ IONS WITH H_2O MOLECULES IN AN ION TRAP
- Laser-Microwave Double-Resonance Spectroscopy of Laser-Cooled ^9Be^+ Ions in a Weak Magnetic Field for Studying Unstable Be Isotopes
- Study on Pb-Based Ferroelectric Thin Films Prepared by Sol-Gel Method for Memory Application ( FERROELECTRIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS)
- Preparation of Pb(Zr,Ti)O_3 Films on Pi/Ti/Ta Electrodes by Sol-Get Process
- Electrical Properties of Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Film Capacitors on Pt and Ir Electrodes
- Preparation of Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Films on Ir and IrO_2 Electrodes ( FERROELECTRIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS)
- Micro-Patterning of PbZr_xTi_O_3 Thin Films Prepared by Photo Sensitive Sol-Get Solution
- Effects of Oxygen Concentration on Growth of Bi_4Ti_3O_ Thin Films by Metalorganic Chemical Vapor Deposition ( FERROELECTRIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS)
- Preparation of C-Axis-Oriented Bi_4Ti_3O_ Thin Films by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Development of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 Electro-Optic Thin Film for High-Speed Spatial Light Modulator