Effects of Oxygen Concentration on Growth of Bi_4Ti_3O_<12> Thin Films by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (<Special Issue> FERROELECTRIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS)

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概要

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• The effects of oxygen concentration on the growth of Bi_4Ti_3O_<12> thin films by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) were investigated, using Bi(C_6H_5)_3 and Ti(i-OC_3H_7)_4 precursors, c-axis-oriented Bi_4Ti_3O_<12> thin films were obtained at an oxygen gas flow rate of 200 sccm and a substrate temperature of 600℃ on Pt(111)/SiO_2/Si(100) substrates without Bi_2Ti_2O_7 buffer layers. This film shows remanent polarization of 1.3 μC/cm^2, coercive field of 25 kV/cm, dielectric constant of 130 and leakage current density as low as 10^<-8>-10^<-7>A/cm^2.

• 社団法人応用物理学会の論文
• 1994-09-30

著者

• Nakamura Takashi

  Rohm Co. Ltd.

• Nakamura T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Shimizu M

  Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center

• Nakamura Tetsuro

  Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology

• Nakamura Toshihiko

  Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology

• Shiosaki Tadashi

  Research Development Division Sakai Chemical Industry Co. Ltd.

• Shiosaki Tadashi

  Department Of Electrical Engineering Ii Faculty Of Engineering Kyoto University

• Shimizu Masaru

  Department Of Chemical Engineering Tokyo University Of Agriculture And Technology

• Muhammet R

  Department Of Electrical Engineering Nagaoka University Of Technology

• Muhammet Rusul

  Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Engineering Chubu University

• Shimizu Masaru

  Department Of Chemical Engineering Faculty Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And Techno

• MUHAMMET Rusul

  Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology

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