Electrical Properties of Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Film Capacitors on Pt and Ir Electrodes
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概要
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Pb(Zr_xTi_<1-x>)O_3 (PZT) thin films were prepared on Ir/IrO_2 and Pt/IrO_2 electrodes. We have already reported that fatigue properties of PZT thin films were improved by using these electrodes due to barrier effects of IrO_2. In this present paper we describe a study of the imprint characteristics of PZT thin films on these electrodes. There is little difference in fatigue properties between the PZT films on Pt/IrO_2 and Ir/IrO_2. However, we find some difference in imprint characteristics between the PZT films on these electrodes. In the case of Ir/IrO_2 electrode, improvements in the electrical properties are observed in the measurements of the imprint characteristics. Moreover, improvements in imprint characteristics were also obtained with good (111)-axis orientation of PZT films when Pt_xIr_<1-x>/IrO_2 electrodes were used.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1995-09-30
著者
-
Nakamura Takashi
Rohm Co. Ltd.
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Takasu Hidemi
Rohm Co. Ltd. Kyoto Jpn
-
Takasu H
R0hm Corp. Ltd. Kyoto Jpn
-
Takasu Hidemi
Device Technology Div. Semiconductor Research And Development Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
Takasu Hidemi
Rohm Co. Ltd.
-
KAMISAWA Akira
ROHM Co., Ltd.
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Kamisawa A
Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.
-
NAKAO Yuichi
Rohm Co., Ltd.
-
Nakao Y
Osaka Univ. Osaka Jpn
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