Suppression of the Phase Transition to C54 TiSi_2 due to Epitaxial Growth of C49 TiSi_2 on Si(001) Substrates in Silicidation Process
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概要
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The epitaxial C49 TiSi_2 formed after annealing of Ti films deposited oil Si(001) substrates has been studied by grazing-incidence X-ray diffraction. The relations C49 TiSi_2(101^^-)‖Si(001), C49 TiSi_2(100)‖Si(001), and C49 TiSi_2(010)‖Si(001) are observed on a highly BF_2-implanted substrate, and the a or b face of C49 is sharply orientated toward the directions deviating ±5° from Si(110) on a clean substrate in ultrahigh vacuum (UHV). These epitaxial C49 grains are thermally stable and difficult to transform into the C54 phase even after annealing at high temperature. In contrast, ramdomly distributed C49 grains have been observed on unimplanted and low-dosed substrates and for thick Ti films in UHV. These polycrystalline C49 grains are thermally unstable mid easily transformed into the C54 phase. The influence of implantation and UHV process on the growth of the epitaxial C49 and the phase transition of C49 to C54 are discussed.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1996-01-15
著者
-
TOMITA Hirofumi
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Komiya S
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Komiya Satoshi
Fujitsu Laboratories Lid.
-
TOMITA Hisashi
Sony Corporation Research Center
-
Komiya S
Fujitsu Lab. Ltd. Atsugi Jpn
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Horii Y
Fujitsu Lab. Ltd. Kanagawa Jpn
-
Horii Yoshimasa
Fujitsu Laboratory Ltd.
-
Horii Yoshimasa
Fujitsu Ltd.
-
Tomita H
Fujitsu Lab. Ltd. Kanagawa Jpn
-
Nakamura Tomoji
Fujitsu Lab. Ltd.
-
Ikeda Kazuto
Fujitsu Laboratories Limited
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