Characterization of ZnSe/GaAs(001) Heteroepitaxial Interfaces by X-Ray Reflectivity Measurement
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概要
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The interfacial structure of ZnSe/GaAs(001) epitaxial crystals is studied using X-ray reflectivity measurements. The samples are grown by molecular beam epitaxy (MBE) with Se- or Zn-treatment. To obtain clear oscillation profiles of reflectivity, the measurements are carried out using synchrotron radiation near the Se K absorption edge and at a distance from it. Comparing observed curves with curves calculated using Parratt's theory, the thicknesses and the electron densities of the transition layers of ZnSe/GaAs are determined. The thicknesses and the electron densities compared with epitaxial ZnSe are one molecular layer (1 ML) and 82% for the Zn-treated sample, 3 MLs and 80% for the Se-treated sample, respectively.
- INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICSの論文
- 1998-06-15
著者
-
Kuo Li-hsin
Joint Research Center For Atom Technology (jrcat)
-
KIMURA Kozo
Joint Research Center for Atom Technology (JRCAT)
-
MIWA Shiro
Angstrom Technology Partnership (ATP)
-
TOMITA Hirofumi
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Takase Aya
Department Of Physics Faculty Of Science And Technology Science Uniersity Of Tokyo
-
Ishida Kohtaro
Department Of Physics Faculty Of Science And Technology Science Uniersity Of Tokyo
-
Komiya Satoshi
Fujitsu Laboratories Lid.
-
Yasuda Tetsuji
Joint Research Center For Atom Technolog (jrcat)
-
Yao Takafumi
Angstrom Technology Partnership (atp) Institute For Materials Research Tohoku University
-
Kuribayashi Masaru
Department Of Physics Faculty Of Science And Technology Science Uniersity Of Tokyo
-
Tomita Hirofumi
Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-01, Japan
-
Ishida Kohtaro
Department of Physics, Faculty of Science and Technology, Science University of Tokyo, Noda 278, Japan
-
Kuo Li-Hsin
Joint Research Center for Atom Technology (JRCAT), 1-1-4 Higashi, Tsukuba 305, Japan
-
Kimura Kozo
Joint Research Center for Atom Technology (JRCAT), 1-1-4 Higashi, Tsukuba 305, Japan
-
Miwa Shiro
Angstrom Technology Partnership (ATP), 1-1-4 Higashi, Tsukuba 305, Japan
-
Takase Aya
Department of Physics, Faculty of Science and Technology, Science University of Tokyo, Noda 278, Japan
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