AP-HCVD法により作製したσ-Bi_2O_3薄膜へのガス供給の影響と表面モフォロジー
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概要
著者
-
伊藤 節郎
旭硝子株式会社中央研究所
-
伊藤 節郎
旭硝子(株)中央研究所
-
中村 高遠
静岡大学工学部
-
伊藤 節郎
旭硝子中研
-
高橋 直行
静大院理工
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
竹山 知陽
Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University
-
高橋 直行
Department of Materials Science and Technology, Faculty of Engineering, Shizuoka University
-
中村 高遠
Department of Materials Science and Technology, Faculty of Engineering, Shizuoka University
-
伊藤 節郎
Research Center, Asahi Glass Co., Ltd
-
竹山 知陽
静大院理工
-
中村 高遠
静大院理工
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Nakamura T
Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn
-
Nakamura T
Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
-
Nakamura Takatou
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Shizuoka University
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
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