フッ化物薄膜EL素子の構造と発光特性

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概要

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電子ビーム蒸着法により作製したZnF_2:Mn薄膜の構造及びPL特性と作製条件との関係を検討した。10^-6>Torr台の真空中では、400℃以上の高い基板温度で作製した薄膜は一部が酸化されてZnOとなっていることが確認された。しかし、10^-8>Torr台の真空中では500℃基板温度でも酸化は認められなかった。基板温度、真空度共に高い程、薄膜の結晶性は向上した。ZnF_2:Mnを発光層、CaF_2を絶縁層とする二重絶縁型フッ化物薄膜EL素子を作製し、発光特性を測定した。基板温度が高くするに従って発光強度は向上した。しかし、高い基板温度では絶縁耐圧が低下した。また、CaF_2とITOとの間で相互拡散が行われ、これも耐圧の低下の原因となっていることがわかった。SiO_2層を挿入することにより相互拡散は抑制されることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-01-20

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