Preparation of Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Films on Ir and IrO_2 Electrodes (<Special Issue> FERROELECTRIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS)

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概要

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• Pb(Zr_xTi_<1-x>)O_3 (PZT) thin films were prepared on Ir and IrO_2 electrodes. Ir has very similar properties to Pt, and IrO_2 is a conductive oxide. Perovskite single-phase PZT thin films were obtained on their electrodes. PZT thin films were grown by the conventional sol-gel method with rapid thermal annealing (RTA) at 700℃. When Pt thin films were deposited directly on poly-Si, PtSi layers were formed, and PZT thin films on the Pt had very poor crystallinity. When an IrO_2 layer was formed between PZT and poly-Si, a high-quality PZT thin film was obtained. Moreover, when electrodes including the IrO_2 layer were used, fatigue properties of PZT thin films were drastically improved.

• 社団法人応用物理学会の論文
• 1994-09-30

著者

• Nakamura Takashi

  Rohm Co. Ltd.

• Nakamura T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Takasu Hidemi

  Rohm Co. Ltd. Kyoto Jpn

• Takasu H

  R0hm Corp. Ltd. Kyoto Jpn

• Takasu Hidemi

  Device Technology Div. Semiconductor Research And Development Headquarters Rohm Co. Ltd.

• Takasu Hidemi

  Rohm Co. Ltd.

• KAMISAWA Akira

  ROHM Co., Ltd.

• Nakamura Tetsuro

  Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology

• Nakamura Toshihiko

  Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology

• Kamisawa A

  Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.

• NAKAO Yuichi

  Rohm Co., Ltd.

• Nakao Y

  Osaka Univ. Osaka Jpn

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