Behavior of Active and Inactive Boron in Si Produced by Vapor-Phase Doping during Subsequent Hydrogen Annealing

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1995-06-15

著者

• Nakamura T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Nakamura Tetsuro

  Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology

• Nakamura Toshihiko

  Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology

• NAKAMURA Tohru

  Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

• Kiyota Yukihiro

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd.

• Kiyota Yukihiro

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Kiyota Yukihiro

  Central Research Laboratory Hitachi

• INADA Taroh

  College of Engineering, Hosei University

• Inada Taroh

  College Of Engineering Hosei University

• MURAKI Kazuhiko

  College of Engineering, Hosei University

• NIWAYAMA Hideki

  College of Engineering, Hosei University

• Niwayama Hideki

  College Of Engineering Hosei University

• Muraki K

  Yamaguchi Prefecture Central Hospital Hofu Jpn

• Nakamura Tohru

  Central Research Lab. Hitachi Ltd.

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