Micro-Patterning of PbZr_xTi_<1-x>O_3 Thin Films Prepared by Photo Sensitive Sol-Get Solution

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概要

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• The photo sensitivity of sol-get solution of PbZr_xTi_<1-x>O_3 (PZT) was studied. A coated film of the sol-gel solution on Pt/Ti/SiO_2/Si substrates was exposed to an excimer laser and developed with water. The film was finally annealed at 700℃ for 60 s by rapid thermal annealing (RTA). Ferroelectric perovskite phase was observed in the PZT thin films. The 130-nm-thick film showed P_r of 11.2 μC/cm^2 and E_c of 93.8 kV/cm. From this process, half-micron patterns of PZT films were obtained.

• 社団法人応用物理学会の論文
• 1993-09-30

著者

• Nakamura Takashi

  Rohm Co. Ltd.

• ABE Katsuya

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• Nakamura T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Abe K

  Mitsubishi Materials Corporation Central Research Institute

• SOYAMA Nobuyuki

  Mitsubishi Materials Corporation, Development Section, Sanda Plant

• OGI Katsumi

  Mitsubishi Materials Corporation, Central Research Institute

• KAMISAWA Akira

  ROHM Co., Ltd.

• Nakamura Tetsuro

  Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology

• Nakamura Toshihiko

  Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology

• Ogi K

  Mitsubishi Materials Corporation Central Research Institute

• Kamisawa A

  Process Technology Div. Ulsi R&d Headquarters Rohm Co. Ltd.

• NAKAO Yuichi

  Rohm Co., Ltd.

• SAMESHIMA Katsumi

  ROHM Co., Ltd.

• HOSHIBA Kazuhiro

  ROHM Co., Ltd.

• Soyama Nobuyuki

  Mitsubishi Materials Corporation Development Section Sanda Plant

• Nakao Y

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Hoshiba Kazuhiro

  Rohm Co. Ltd.

• ABE Kohji

  Mitsubishi Materials Corporation, Central Research Institute

• Sameshima K

  Rohm Co. Ltd. Kyoto Jpn

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