DLTS Study of Heat Treatments on n-CdTe Crystals
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概要
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DLTS measurements were carried out on Schottky barriers formed on the surfaces of n-CdTe:In crystals heated in argon gas. Four electron trap levels were detected. The carrier concentration near the surface decreased to less than a tenth as a result of heat treatments at 350 or 400℃ for 1 hour. A sample heated at 400℃ showed a steep decrease in the carrier concentration near the surface. The concentration of an electron trap level (E_C-E_T=0.34 eV) was reduced by heat treatments. Heat treatments at temperatures higher than 350℃ for 1 hour seemed to induce some defects related to cadmium vacancies or tellurium interstitials, which compensate donors and reduce the concentration of the trap level near the surfaces of CdTe.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1987-04-20
著者
-
HAYAKAWA Satio
Dept. of Astrophys., Nagoya University, Nagoya.
-
Hayakawa S
Department Of Engineering Fundamentals Hiroshima University
-
Hayakawa Shinjiro
Department Of Applied Chemistry University Of Tokyo
-
TOMITORI Masahiko
Department of Applied Physics, Tokyo Institute of Technology
-
KURIKI Makoto
Department of Applied Physics, Tokyo Institute of Technology
-
富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大
-
Kuriki Makoto
NTT Interdisciplinary Research Laboratories
-
Hayakawa Sohachiro
Department Of Applied Physics Faculty Of Science Tokyo Institute Of Technology
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