24pPSA-31 STMの真空ギャップ中に励起された電子定在波の解析と応用

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2000-09-10

著者

• 富取 正彦

  北陸先端大材料

• 富取 正彦

  北陸先端大

• 菅沼 由典

  北陸先端大材料

関連論文

• 21aPS-7 NC-AFM探針-試料間に誘起する変位電流によるジュール熱の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28a-S-4 原子間隙ティップ-表面相互作用 : TEM-STMによるティップ先端の観察
• 3p-Q-6 TEM-STMによるSTMティップ先端の観察
• 28a-S-2 針状試料先端の半導体超薄膜からの電子のトンネル過程
• 5a-R-13 針状試料先端の半導体膜の研究III
• 27pPSA-2 水素終端Si(100)上に形成したAuナノ粒子のSTS II(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 28pPSB-57 水素終端 Si(100) 上に形成した Au ナノ粒子の STS
• 2a-R-10 ゲルマニウム粒子表面のSTS
• 急速に進歩・発展する高分解能AFM
• 30aTE-13 SPMを利用したSi-Si接合のコンダクタンス測定(30aTE 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aRD-10 電圧印加非接触原子間力顕微鏡法によるSi(111)7×7表面の電子状態解析(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXA-7 電圧印加非接触原子間力分光法による探針-試料間電子状態解析(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYB-9 非接触原子間力分光法による極近接状態の相互作用力とコンダクタンスの測定(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19pYP-4 電圧印加非接触原子間力顕微鏡/分光法による探針-試料間相互作用の解析(領域9シンポジウム : 原子間力顕微鏡法の新展開,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWB-10 非接触原子間力分光法によるSi(111)7×7表面の電子状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 23aYD-6 探針と印加電圧による非接触原子間力顕微鏡像の変化
• 28aYQ-9 超高真空非接触原子間力顕微鏡を用いたトンネル電流と散逸の測定
• 24pZN-5 非接触原子間力顕微鏡の印加電圧依存性と画像化機構の考察
• 27aW-8 非接触原子間力顕微鏡によるSi(111)表面像の印加電圧効果
• 3p-Q-7 電界放射探針評価型STM/STSによる表面分析
• 26pTG-6 Si(001)表面におけるDAT分子の吸着構造と電子状態(26pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 原子間力顕微鏡によるナノ力学の新展開
• 24pPSA-31 STMの真空ギャップ中に励起された電子定在波の解析と応用
• 23pW-10 STM真空ギャップ中の電子定在波による試料表面近傍の電界強度評価
• 25pW-7 STMによるSi(001)面上の真空ギャップ中に励起された電子定在波の測定
• 23pHA-9 Si(001)表面におけるDAT分子の電子状態(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pCC-3 Si(001)に吸着したDATのSTM像探針バイアス依存性(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXZA-6 非接触AFMによる分子吸着Si(111)7×7表面の電子状態変化の検討(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pFE-15 nc-AFMによる相互作用力と表面電子状態の相関の検討(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aYF-13 ダンピング同時測定によるSi(111)面上のGe薄膜のnc-AFM観察(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク