Fast Deposition of Amorphous and Microcrystalline Silicon Films from SiH2Cl2– SiH4– H2 by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
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概要
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Fast deposition of hydrogenated chlorinated amorphous and microcrystalline silicon (a-Si:H(Cl), µ c-Si:H(Cl)) thin films is achieved without powder formation and deterioration of their optoelectronic properties by plasma-enhanced chemical vapor deposition (rf PECVD) from SiH2Cl2– SiH4– H2. The Si-network can be varied from microcrystalline to amorphous at high deposition rate of about 20 Å/s with addition of SiH4 under steady flow of SiH2Cl2– H2 plasma. The deposition rate strongly depends on the mixture ratio of SiH2Cl2 and SiH4 and the substrate temperature.
- Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
- 1997-07-30
著者
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Arai Takeshi
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
新井 豊子
金大院自然
-
SHIRAI Hajime
The Faculty of Engineering, Saitama University
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