平山 博之 | 東工大院・総理工
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概要
関連著者
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平山 博之
東工大院・総理工
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平山 博之
東工大総理工
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平山 博之
東工大・総理工
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平山 博之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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青木 悠樹
東工大総理工
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青木 悠樹
東大物性研
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青木 悠樹
東工大・総理工
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大島 義文
東工大総理工
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加藤 千明
東工大・総理工
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宮崎 優
東工大・総理工
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渡井 美和
東工大・総理工
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高柳 邦夫
理工
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杉本 匡
東工大総理工
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澤 敬一
東工大総理工
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関口 津加
東工大・総理工
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源 聡
東工大・総理工
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石塚 健
東工大・総理工
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高柳 邦夫
院理工
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吉田 亮
東工大・総理工
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石川 純久
東工大・総理工
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Yamasaki A.
東工大・総理工
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Kajitani R.
東工大・総理工
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山崎 彩子
東工大・総理工
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梶谷 亮
東工大・総理工
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石原 充洋
東工大・総理工
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高柳 邦夫
東工大院・総理工
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毛利 啓之介
東工大院・総理工
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大島 嚢文
東工大院・総理工
著作論文
- 27aRD-10 Ag/Si(111)上に吸着した水素原子のTPD測定におけるAg膜厚効果(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYH-1 6H-SiC(0001)再構成表面における水素脱離特性(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pRD-4 Si(111)基板上におけるAg(111)薄膜の表面準位に対する膜厚・転位・量子閉じ込めの影響(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXB-9 Si(111)表面上にelectronic growthしたAg超薄膜の臨界膜厚制御(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-2 Si(111)√√表面上のGeエピタキシャル成長のSTM観察(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXJ-2 Si(111)表面上Ag超薄膜のelectric growthにおける量子効果とkineticsの競合(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pYH-4 Si(111)√x√-Ag表面への2次元量子構造の構築(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-2 Si(111)表面上Ag成長に伴うSHG強度振動へのサーファクタント効果(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXC-8 金多層ヘリカルナノワイヤのコンダクタンス計測(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-13 Si(111)7×7表面上Ag薄膜内量子準位からの2光子共鳴光第二高調波発生(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 21aYE-8 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス III : 非整数コンダクタンス
- 21aYE-7 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス II : 整数コンダクタンス
- 21aYD-11 Ge/Si(001) 表面におけるダイマー鎖上の 1 次元電子状態
- 21aYD-8 Si(111)7x7 表面への Ag 低温蒸着時の SHG 強度振動
- 25aWS-2 Si(111)基板上にエピタキシャル成長したAg超薄膜表面上のBi原子吸着構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWS-1 Ag/si(111)√xR30°-B界面における水素吸着(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-28 水素吸着したSi(111)√3x√3-B表面における昇温脱離測定とSTM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTH-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(II)(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pHA-1 エピタキシャルグラフェン成長過程に及ぼすB原子の影響(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-55 ヘリカル金多層ナノチューブの量子化伝導のUHV・TEM-STM同時観察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))