28pPSB-65 UHV-TEM 用冷却ステージの開発

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 平山 博之

  東工大総理工

• 大島 義文

  東工大総理工

• 高柳 邦夫

  理工

• 佐原 功一郎

  東工大総理工

• 佐原 功一郎

  東工大院総理工

関連論文

• 27aRD-10 Ag/Si(111)上に吸着した水素原子のTPD測定におけるAg膜厚効果(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYH-1 6H-SiC(0001)再構成表面における水素脱離特性(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYK-13 収差補正走査型透過電子顕微鏡法によるシリコン結晶中ヒ素ドーパントの検出(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30pRD-4 Si(111)基板上におけるAg(111)薄膜の表面準位に対する膜厚・転位・量子閉じ込めの影響(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-9 Si(111)表面上にelectronic growthしたAg超薄膜の臨界膜厚制御(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXA-2 Si(111)√√表面上のGeエピタキシャル成長のSTM観察(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXJ-2 Si(111)表面上Ag超薄膜のelectric growthにおける量子効果とkineticsの競合(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pYH-4 Si(111)√x√-Ag表面への2次元量子構造の構築(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-2 Si(111)表面上Ag成長に伴うSHG強度振動へのサーファクタント効果(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXC-8 金多層ヘリカルナノワイヤのコンダクタンス計測(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24pWB-13 Si(111)7×7表面上Ag薄膜内量子準位からの2光子共鳴光第二高調波発生(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 21aYE-8 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス III : 非整数コンダクタンス
• 21aYE-7 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス II : 整数コンダクタンス
• 21aYD-11 Ge/Si(001) 表面におけるダイマー鎖上の 1 次元電子状態
• 21aYD-8 Si(111)7x7 表面への Ag 低温蒸着時の SHG 強度振動
• 31aZF-2 UHV-TEM 法による Au ナノコンタクト構造に依存した電気伝導度の観察
• 28pPSB-65 UHV-TEM 用冷却ステージの開発
• 20aWD-5 PtナノチューブのUHV-TEM観察
• 20aWD-4 150KでのAuナノワイヤと原子鎖のUHV-TEM観察
• 19pPSB-55 超高真空電子顕微鏡内STM装置開発とナノワイヤ観察
• 19pPSB-30 Ge/Si(001)表面上Siエピタキシャル成長のSTM観察
• 19pPSB-18 Si(111)7x7表面上のAg薄膜成長時のSHG強度振動
• 19aRH-7 Ag/Si(111)ショットキー障壁
• 25pWZ-3 Si結晶中Sbドーパント不活性クラスター構造(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• シリコン結晶中ドーパント原子・クラスターの検出
• 25pWZ-1 CuInSe_2結晶の欠陥のSTEM観察(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25aWS-2 Si(111)基板上にエピタキシャル成長したAg超薄膜表面上のBi原子吸着構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWS-1 Ag/si(111)√xR30°-B界面における水素吸着(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-4 Energy-filtering TEMを用いた金EELSの膜厚依存(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aWA-4 Si(111)√√表面SHG強度の励起光波長依存性
• 23aT-5 Si(111)-3×1-Ag表面上のAgナノislandの自己組織的成長
• 22pW-5 Ag/Si(111)表面から発生するSHG光の位相測定
• 27aW-3 光第2高調波発生(SHG)によるAg/Si(111)界面形成モニタリング
• 24aY-7 Ag原子点欠陥導入によるSi(111)-√×√-Ag表面上のAgナノクラスター形成過程の制御
• 30p-Q-8 融解金属(In, Pb)の量子化コンダクタンス
• タングステン探針によってシリコン(111)表面に誘起される歪みの反射型電子顕微鏡観察
• 23aW-1 STM探針とSi(111)表面との原子間力相互作用のREM-STM観察
• 2p-YD-11 REM-STMによるSTM探針先端とSi(111)7×7表面のその場観察
• 23aW-4 安定構造をもつPbナノヤイヤーのコンダクタンスの計測
• 24aPS-37 Si結晶の高角度入射-STEM像の定量解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGP-4 Geometrical dependence of a metal tip on the tunneling conductance(Force Spectroscopy and Tunneling Spectroscopy by SPM and related techniques)
• 26aYH-2 金(111)面および(110)面のトンネルからコンタクトへの遷移のその場観察(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYH-1 引っ張り過程における金, コンタクトの構造とコンダクタンス(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pTE-10 金[110]ナノワイヤのバリスティック伝導(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-38 カーボンフラーレン分子電極間移動に関する電極間距離・バイアス依存性の観察(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-31 TEM-STMによる金電極ファセット・エッジ局所仕事関数の計測(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-6 TEM-STMによる金原子鎖のコンダクタンス揺らぎ計測(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-5 金ナノワイヤにおける(111)面に沿ったエレクトロマイグレーションの観察(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 透過型電子顕微鏡による金ナノワイヤの電気伝導の研究
• 26pRJ-7 応力印加による金ナノワイヤの歪みとコンダクタンス変化(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 金アトミックシートの電気伝導その場観察 (電顕内でのその場ナノ物性計測)
• 24pXK-7 金の複数原子鎖における整数量子化(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pWH-9 フラーレン振動による電気伝導の直接観察(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pWH-1 金[110]ナノワイヤのコンダクタンス定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ナノ現象の顕微研究
• 20aPS-73 金 HMS ナノワイヤのカイラリティーと魔法数
• 26pYH-10 電極間に置かれたカーボンフラーレンのダイナミックス(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pRC-13 透過型電子顕微鏡によるカーボンフラーレン・オニオンの構造と電気伝導の同時計測(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aPS-107 MCBJ機構を用いた金属原子鎖の直接観察法の開発(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 30pXJ-7 積層欠陥による金ナノワイヤのコンダクタンス変化(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pXJ-6 金ナノワイヤのエレクトロマイグレーション(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-78 金属ナノコンタクトに見られる非線形電流-電圧特性 : 電極は接近する。(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXC-7 金ナノコンタクトの非線形性コンダクタンス(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 22pT-7 UHV-TEM法におけるAl/Si(001)に現れるクラスター秩序配列の構造解析
• 26pYH-4 金[110]ナノワイヤの断面構造とコンダクタンスの関係(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-60 歪による金ナノワイヤのコンダクタンス変化(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-106 TEM/STMシステムによる金ナノワイヤの動的挙動とコンダクタンスの関係(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 23aW-2 金原子鎖の電子顕微鏡像シミュレーションによる検討
• 30p-Q-3 UHV-TEM法によるPtナノワイヤーの形成過程の観察
• 環状明視野法によるリチウム原子の定量観察 (Li電池材料解析の最前線)
• ArイオンスパッタしたSi(111)表面のSTM観察
• 27pPSA-49 超高真空TEM-STM法による金アトミックワイヤのコンダクタンス計測(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-28 水素吸着したSi(111)√3x√3-B表面における昇温脱離測定とSTM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pTN-12 LiV2O4結晶の環状明視野像におけるリチウムカラム強度解析(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29a-PS-60 Auナノワイヤーの高分解能電子線ホログラフィー観察2
• 25p-YM-11 Auナノワイヤーの高分解能電子線ホログラフィー観察
• 26aTH-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pT-3 Si(001)面上におけるGe吸着構造のTEM/TED印観察 II
• 25aTA-6 融解Pb量子接点のフラクショナルコンダクタンス
• 19aWD-10 ナノ粒子の結晶対称性上昇と臨界サイズ
• 18aWD-7 Si(111)√x√-Ag表面とAg薄膜のC-ICストライプ界面
• 25aWB-3 UHV-TEM法によるSi(111)√×√-Ag上に成長したAg薄膜界面構造の研究
• 23pWB-12 液体窒素冷却による金ナノ粒子安定構造のUHV-TEM観察
• 24pW-11 UHV-TEM法によるIndiumナノ粒子安定構造の研究
• 23aHA-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(II)(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-1 エピタキシャルグラフェン成長過程に及ぼすB原子の影響(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 1p-YE-2 STMトンネルギャップで形成される単層カーボンナノチューブのTEM観察とコンダクタンス測定
• 25aCC-10 Ag/Si(111)表面上にエピタキシャル成長させたPd(111)超薄膜における水素吸着(25aCC 水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aFE-9 Pd(111)/Ag(111)/Si(111)における水素昇温脱離(II)(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 19aFE-10 Pd-Ag超格子構造ナノ薄膜における水素昇温脱離(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 28pXZA-9 格子拡張されたPd(111)薄膜における水素吸蔵のスピノーダル転移(28pXZA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXK-4 エピタキシャルシリセンの電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-27 Ag/Si(111)上におけるPd成長と水素吸着・吸蔵(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-15 Ag超薄膜とSi(111)基板との界面における水素吸着(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-58 金ナノチューブのUHV-TEM低温観察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 27aYF-5 金ヘリカル多層ナノチューブの安定構造(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25pPSB-28 Ge/Si(001)表面の欠陥列とダイマー構造の関係(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 7aSM-9 Ag/Si(111)表面の局所仕事関数の評価(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 7aSM-5 Si(111)表面上のAg薄膜成長時のSHG強度振動(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 25pPSB-5 Si(111)7×7,√×√-Ag,1×1-Agのバリアハイトイメージング(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク