25pWZ-3 Si結晶中Sbドーパント不活性クラスター構造(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

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概要

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• 2010-08-18

著者

• 谷城 康眞

  東工大院理工

• 高柳 邦夫

  東工大院理工

• 近藤 行人

  JST-CREST

• 高柳 邦夫

  東工大理

• 大島 義文

  東工大総理工

• 高柳 邦夫

  東工大総理工

• 高柳 邦夫

  東工大 総理工

• 橋川 直人

  ルネサステクノロジ

• 大島 義文

  JST-CREST

• 澤田 英敬

  JST-CRESTA

• 近藤 行人

  Jst-crest:日本電子

• 谷城 康眞

  東工大院理工:jst-crest

• 高柳 邦夫

  東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻

• 高柳 邦夫

  東京工業大学

• 沢田 英敬

  Jst-crest:日本電子

• 沢田 英敬

  東大工

• 澤田 英敬

  Jst-cresta:日本電子

• 沢田 英敏

  Jst-ceest:日本電子

• 高柳 邦夫

  東工大

• 高柳 邦夫

  東工大理工

• 大島 義文

  東工大 総理工

• 金 スヒョン

  東工大院理工

• 橋川 直人

  日本電子

• 朝山 匡一郎

  東工大院理工

• 澤田 英敬

  Jst-crest:日本電子

• 谷城 康眞

  東工大院総合理工

• 高柳 邦夫

  東工大院総合理工

• 高柳 邦夫

  東京工業大学物性物理学専攻

• 谷城 康眞

  東京工業大学大学院理工学研究科

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