高柳 邦夫 | 東工大理

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概要

• 同名の論文著者
• 東工大理の論文著者

関連著者

• 高柳 邦夫

  東工大理

• 八木 克道

  東工大理

• 谷城 康眞

  東工大理

• 高柳 邦夫

  東工大総理工

• 高柳 邦夫

  東工大 総理工

• 高柳 邦夫

  東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻

• 高柳 邦夫

  東工大理工

• 高柳 邦夫

  東工大院総合理工

• 高柳 邦夫

  東京工業大学

• 高柳 邦夫

  東京工業大学物性物理学専攻

• 高柳 邦夫

  東工大院理工

• 高柳 邦夫

  東工大

• 大島 義文

  東工大 総理工

• 大島 義文

  東工大総理工

• 小林 國男

  東工大理

• 谷城 康眞

  東工大院総合理工

• 谷城 康眞

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 谷城 康眞

  東工大院理工

• 本庄 五郎

  東工大理

• 小林 国男

  東工大・理

• 小林 国男

  東工大理

• 澤田 英敬

  Jst-cresta:日本電子

• 沢田 英敏

  Jst-ceest:日本電子

• 近藤 行人

  Jst-crest:日本電子

• 谷城 康眞

  東工大院理工:jst-crest

• 李 少淵

  東工大

• 沢田 英敬

  Jst-crest:日本電子

• 沢田 英敬

  東大工

• 近藤 行人

  JST-CREST

• 小林 國男

  東工大 理

• 高橋 茂樹

  東工大理

• 大島 義文

  阪大電顕センター

• 沢田 英敬

  JST-CREST

• 田中 通義

  東北大 科研

• 田中 通義

  東北大理

• 宍戸 哲夫

  東北工大

• 大島 義文

  JST-CREST

• 本庄 五郎

  東工大

• 木村 嘉伸

  東工大総理工

• 和田 麻友香

  東工大院理工

• 田中 崇之

  東工大院理工:jst-crest

• 本庄 五郎

  東工大.物理

• 本庄 五郎

  東京工業大学理学部

• 清水 紀嘉

  東工大理

• 大島 義文

  大阪大学超高圧電子顕微鏡センター

• 高橋 正悦

  東工大理

• 李 少淵

  東工大院総合理工

• 田中 崇之

  東工大院総理工:東工大院理工

• 田中 崇之

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 田中 崇之

  東工大院理工

• 平山 博之

  東工大総理工

• 橋川 直人

  ルネサステクノロジ

• 澤田 英敬

  JST-CRESTA

• 吉田 高穂

  東工大総理工

• 谷城 康眞

  東工大院

• 横山 武

  東工大理

• 高橋 茂樹

  東工大 理

• 沢田 英敬

  日本電子(株)

• 谷城 康真

  東工大理

• 橋川 直人

  日本電子

• 朝山 匡一郎

  東工大院理工

• 小柳 聖

  東工大院理工

• 金森 弘雄

  東工大理

• 近藤 行人

  日本電子

• 澤田 英敬

  Jst-crest:日本電子

• 芳賀 豊

  東工大理

• 李 少淵

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 秋山 和裕

  東工大理

• 山本 直紀

  東工大院理工

• 久留井 慶彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大工

• 奥西 栄治

  日本電子(株)

• 鈴木 茂雄

  三洋筑波rc

• 鈴木 茂雄

  東京工大理

• 小野 倫也

  阪大院工

• 炭屋 亜美

  東工大院総合理工

• 佐野 健太郎

  東工大院理工

• 上野 修

  東北大理

• 毛利 啓之介

  東工大総理工

• 恩賀 明子

  東工大総理工

• 山崎 邦明

  三洋電機

• 竹口 雅樹

  物質・材料研究機構

• 鈴木 茂雄

  東工大理

• 三宅 秀人

  三重大

• 三宅 秀人

  三重大学 工学部

• 岩槻 正志

  日本電子(株)

• 松下 嘉明

  東工大理

• 奥西 栄治

  日本電子:jst-crest

• 原田 嘉晏

  日本電子

• 岩成 俊一

  東工大総理工

• 木村 嘉伸

  東工大理

• 竹下 茜

  東工大院総理工

• 日比野 紘大

  東工大院理工

• 久保田 忠弘

  本田技研

• 大島 義文

  東工大院総理工

• 中山 佳子

  Nims

• 竹口 雅樹

  Nims

• 竹口 雅樹

  物質・材料研究機構 超高圧電子顕微鏡ステーション

• 竹口 雅樹

  (独)物質・材料研究機構 ナノ計測センター

• 森田 悦男

  東工大・理

• 森 幸一

  東工大理

• 平山 博之

  東工大理工

• 金 スヒョン

  東工大院理工

• 金 秀鉉

  東工大院理工

• 久留井 慶彦

  東工大院理工

• 神保 雄

  東工大院理工

• 森田 悦男

  東工大理

• 三留 正則

  東工大総理工

• 山崎 邦明

  東工大理

• 大島 義文

  東工大理工

• 江成 めぐみ

  東工大院理工

• Huy Nguyen

  阪大院工

• 中出 浩之

  東工大総理工

• 中出 浩之

  東工大理

• 奥西 栄治

  日本電子

• 李 少淵

  東京工業大学物性物理学専攻

• 高柳 邦夫

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学

• 梶山 耕成

  東工大理

• 室岡 賢一

  東工大理

• 大井 公郎

  日本電子(株)

• 内海 博

  日本電子(株)

• 高柳 邦夫

  東工大院総合理工:JST-CREST

• 李 少〓

  東工大院総合理工

• 谷成 康真

  東工大理

• 大島 義文

  JST-CREST:阪大電顕センター

• 長谷川 剛

  東工大理

• 田中 崇之

  東京工業大学

• 谷城 康眞

  東京工業大学

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著作論文

• 20aHT-5 収差補正STEMによる単原子観察とZコントラストイメージング(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 13p-T-10 Ag単原子層ステップ透過電顕像のコントラストIII : 計算
• 2p-E-10 銀蒸着粒子の単層ステップによる透過電顕像のコントラスト II
• 25pWZ-3 Si結晶中Sbドーパント不活性クラスター構造(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25pWZ-2 球面収差補正ADF-STEM像におけるZ-contrast(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25pWZ-1 CuInSe_2結晶の欠陥のSTEM観察(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25aWS-7 O_2導入によって形成されるAu/TiO_2界面のピラー構造のTEM観察(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWS-8 球面収差補正TEMによるアモルファスカーボン膜上での金単原子の動的観察(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27p-R-5 表面変性エピタクシー(Surf-Actant Epitaxy) : 高分解能超高真空電子顕微鏡によるSn/Si(111)上へのSi膜成長の観察
• 2p-E-14 Si(001)表面のSn吸着相 : 高分解能REM観察
• 31a-TA-1 REM-RHEEDによるSi(001)2×1-Agの研究
• 30a-TA-9 Si(111)√×√-AgのHR-REMによる観察
• 国際結晶学会議(オタワ)
• 6a-AG-8 電顕内蒸着用E-Gunの製作とその応用
• 31a-M-11 銀蒸着粒子の単層ステップによる電子顕微鏡像のコントラスト
• 30p-W-12 電顕内蒸着による直接観察 (GeTe/SnTe, GeTe/PbTe)
• 24aPS-37 Si結晶の高角度入射-STEM像の定量解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 10p-E-5 電子顕微鏡内スパッタリングによる結晶表面の清浄化
• 6p-W-3 エピタキシャル成長核方位の格子間隔適合度依存性
• 30a-T-5 Ge超微粒子の超高真空・高分解能電子顕微鏡法による観察
• 4a-NM-11 Au(111)表面構造の相転移
• 31p-J-7 金属表面に吸着したPbのIncomensurate単原子層
• 4a-RJ-2 超高真空透過電顕法によるSi(111)7×7表面の観察IV : 構造モデル
• 4a-RJ-1 超高真空透過電顕法によるSi(111)-7×7表面の観察III
• 4a-M-8 Si(111)-(7×7)表面構造格子像の反射電顕法による観察
• 4p-E-5 Si(111)清浄表面の酸素・水素ガスとの反応過程の反射電顕法による観察
• 29a-Y-13 Au(001)再配列表面のTEM観察
• 環状明視野法によるリチウム原子の定量観察 (Li電池材料解析の最前線)
• 27pTN-14 球面収差補正ADF-STEMによるZコントラストイメージング(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTN-13 球面収差補正TEMによる非晶質炭素膜を移動する金原子の動的観察(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTN-12 LiV2O4結晶の環状明視野像におけるリチウムカラム強度解析(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28aTH-1 カーボン原子にアシストされた金アトミックチェーンの生成(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 6p-D-10 "その場"観察によるmisfit 転位の導入機構
• 6p-D-9 Epitaxial 成長膜におけるPsendo morphism の検討 IV
• 3p-TG-6 EpiTaxiaL FilmにおけるPseudo-morphismの検討 II
• 10a-N-5 電顕内蒸着の直接観察 IV
• 4p-E-8 超高真空透過電顕法によるSi(111)(7×7)表面の観察V : 構造モデル
• 4p-E-4 1MV電顕による表面の高分解能像(2)
• 2a-E-8 反射電顕法における散乱電子のエネルギー分析
• 1p-A-4 Si(111)表面におけるAg吸着過程の反射電顕観察
• 4a-B-6 低融点金属のエピタキシー
• 13p-Y-1 超高真空透過電子顕微鏡法によるSi(111)7×7表面の観察II
• 25aWB-3 UHV-TEM法によるSi(111)√×√-Ag上に成長したAg薄膜界面構造の研究
• 21aJA-9 球面収差補正STEMによるZコントラストイメージング(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aJA-10 環状明視野像メカニズムの解明(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 超高真空高分解能電子顕微鏡法によるSi (111) -√3×√3Agの観察
• 24a-PS-36 Si(111)表面のBi√×√吸着相II : 高分解能透過型電子顕微鏡によるBi原子の直接観察
• 5p-E-5 Si(111)表面のBi√3×√3吸着相 : 高分解能超高真空電子顕微鏡による構造解析
• (III) Ag膜上のPdの単原子層膜の電顕観察
• 超高分解能電子顕微鏡によるリチウム原子の可視化
• 球面収差補正透過型電子顕微鏡法を用いたアトミックスケールでの構造解析
• 27pBL-8 表面プラズモンによるZnOナノワイヤーのルミネッセンス増強(27pBL 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
• 27aCL-4 薄膜試料における環状明視野像メカニズムの解明(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 収差補正ABF-STEM法によるLi原子の直接観察
• 30a-H-7 高分解能超高真空・電子顕微鏡法・回折法によるSi(111)7×7表面上のGe吸着過程の構造の研究(表面・界面)
• 31p-F4-9 TEMに組合せたSTM機構の試作(表面・界面)
• 25aJB-9 イオン液体とマンガン酸リチウム界面におけるリチウムイオン移動と電極相変化(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 1p-F4-5 電子顕微鏡による成長過程の研究(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
• 30a-H-6 高分解能超高真空反射電顕法によるSi(111)表面上Au吸着過程の研究(表面・界面)
• タイトル無し
• 3a-F4-11 Si(111)表面に吸着した√3×√3Pd膜の透過電顕法による構造解析(表面・界面)
• 27aYF-5 金ヘリカル多層ナノチューブの安定構造(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 31p-A1-9 Si(111)清浄表面の酸素ガスとの反応過程の反射電顕法による観察II(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31p-A1-11 超高真空透過電顕法(TEM-TED)によるSi(111)-Au吸着構造の解析(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31p-A1-10 超高真空透過電顕法(TEM-TED)によるSi(111)-Au吸着構造の解析(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31p-A1-12 1MV電顕による表面の高分解能像III(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

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