木村 嘉伸 | 東工大総理工
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概要
関連著者
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木村 嘉伸
東工大総理工
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高柳 邦夫
東工大総理工
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高柳 邦夫
東工大 総理工
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柴田 晃秀
理工
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木村 嘉伸
東工大 総理工
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高柳 邦夫
東工大理
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高柳 邦夫
東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻
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高柳 邦夫
東京工業大学
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柴田 晃秀
東工大総理工
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坂本 浩隆
東工大・理
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木村 嘉伸
東京工業大学総理工
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岩成 俊一
東工大総理工
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木村 嘉伸
東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻
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高柳 邦夫
東工大・総理工
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三井 正
東工大理
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柴田 晃秀
東工大 総理工
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柴田 晃秀
東大工 総理研
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木村 嘉伸
東大工 総理研
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高柳 邦夫
東大工 総理研
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三井 正
東工大総理工
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山本 浩之
東工大 総理工
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木村 嘉伸
東工大・総理工
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坂本 浩隆
東工大理
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木村 嘉伸
東工大理
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谷城 康真
東工大理
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木村 嘉伸
東京工業大学総合理工学研究科
著作論文
- 25p-Y-1 Si(111)表面に吸着したAgのSTM-RHEED観察
- 30a-ZF-1 Si(111)表面に吸着したAgのSTM-RHEED観察
- 30p-BPS-9 Si(111)5×2-Au相のSTM-RHEED観察
- 30a-ZD-8 Si7×7表面に成長する?×?-Au相のSTM-RHEED観察
- 15a-DH-11 Si(100)2×1表面上のSn吸着相II : STMによる観察
- 30p-H-2 Si(100)2×1表面上のAg超薄膜の成長過程
- 金属・半導体界面 (走査トンネル顕微鏡(STM)) -- (物理への応用)
- 26a-Y-5 Si(100)表面のSn吸着相 : STMによる観察
- 27p-ZS-3 変性表面としてのSi(111)表面上のPb吸着層
- 27p-ZS-2 Si(111)表面に室温吸着したPbのHRTEM観察
- 30a-ZD-10 Si(100)-Snの整合・不整合相
- 30a-ZD-1 Si(111)7×7表面に吸着したAgの?×?構造
- 29p-BPS-53 金属・半導体界面層の高分解能REM観察 : Ag/Si(100)
- 27p-ZG-3 表面再構成と変性エピタクシー
- 27p-R-5 表面変性エピタクシー(Surf-Actant Epitaxy) : 高分解能超高真空電子顕微鏡によるSn/Si(111)上へのSi膜成長の観察
- 2p-E-14 Si(001)表面のSn吸着相 : 高分解能REM観察
- 31a-TA-1 REM-RHEEDによるSi(001)2×1-Agの研究
- 2.4 金属・半導体界面
- タイトル無し