31a-TA-1 REM-RHEEDによるSi(001)2×1-Agの研究

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1990-03-16

著者

• 高柳 邦夫

  東工大理

• 木村 嘉伸

  東工大総理工

• 木村 嘉伸

  東工大理

• 谷城 康真

  東工大理

関連論文

• 20aHT-5 収差補正STEMによる単原子観察とZコントラストイメージング(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 13p-T-10 Ag単原子層ステップ透過電顕像のコントラストIII : 計算
• 2p-E-10 銀蒸着粒子の単層ステップによる透過電顕像のコントラスト II
• 25p-Y-1 Si(111)表面に吸着したAgのSTM-RHEED観察
• 30a-ZF-1 Si(111)表面に吸着したAgのSTM-RHEED観察
• 30p-BPS-9 Si(111)5×2-Au相のSTM-RHEED観察
• 30a-ZD-8 Si7×7表面に成長する?×?-Au相のSTM-RHEED観察
• 25pWZ-3 Si結晶中Sbドーパント不活性クラスター構造(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25pWZ-2 球面収差補正ADF-STEM像におけるZ-contrast(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25pWZ-1 CuInSe_2結晶の欠陥のSTEM観察(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25aWS-7 O_2導入によって形成されるAu/TiO_2界面のピラー構造のTEM観察(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWS-8 球面収差補正TEMによるアモルファスカーボン膜上での金単原子の動的観察(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15a-DH-11 Si(100)2×1表面上のSn吸着相II : STMによる観察
• 30p-H-2 Si(100)2×1表面上のAg超薄膜の成長過程
• 金属・半導体界面 (走査トンネル顕微鏡(STM)) -- (物理への応用)
• 26a-Y-5 Si(100)表面のSn吸着相 : STMによる観察
• 27p-ZS-3 変性表面としてのSi(111)表面上のPb吸着層
• 27p-ZS-2 Si(111)表面に室温吸着したPbのHRTEM観察
• 30a-ZD-10 Si(100)-Snの整合・不整合相
• 30a-ZD-1 Si(111)7×7表面に吸着したAgの?×?構造
• 29p-BPS-53 金属・半導体界面層の高分解能REM観察 : Ag/Si(100)
• 27p-ZG-3 表面再構成と変性エピタクシー
• 27p-R-5 表面変性エピタクシー(Surf-Actant Epitaxy) : 高分解能超高真空電子顕微鏡によるSn/Si(111)上へのSi膜成長の観察
• 2p-E-14 Si(001)表面のSn吸着相 : 高分解能REM観察
• 31a-TA-1 REM-RHEEDによるSi(001)2×1-Agの研究
• 30a-TA-9 Si(111)√×√-AgのHR-REMによる観察
• 国際結晶学会議(オタワ)
• 6a-AG-8 電顕内蒸着用E-Gunの製作とその応用
• 31a-M-11 銀蒸着粒子の単層ステップによる電子顕微鏡像のコントラスト
• 30p-W-12 電顕内蒸着による直接観察 (GeTe/SnTe, GeTe/PbTe)
• 24aPS-37 Si結晶の高角度入射-STEM像の定量解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 10p-E-5 電子顕微鏡内スパッタリングによる結晶表面の清浄化
• 6p-W-3 エピタキシャル成長核方位の格子間隔適合度依存性
• 30a-T-5 Ge超微粒子の超高真空・高分解能電子顕微鏡法による観察
• 4a-NM-11 Au(111)表面構造の相転移
• 31p-J-7 金属表面に吸着したPbのIncomensurate単原子層
• 4a-RJ-2 超高真空透過電顕法によるSi(111)7×7表面の観察IV : 構造モデル
• 4a-RJ-1 超高真空透過電顕法によるSi(111)-7×7表面の観察III
• 4a-M-8 Si(111)-(7×7)表面構造格子像の反射電顕法による観察
• 4p-E-5 Si(111)清浄表面の酸素・水素ガスとの反応過程の反射電顕法による観察
• 29a-Y-13 Au(001)再配列表面のTEM観察
• 2.4 金属・半導体界面
• 環状明視野法によるリチウム原子の定量観察 (Li電池材料解析の最前線)
• 27pTN-14 球面収差補正ADF-STEMによるZコントラストイメージング(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTN-13 球面収差補正TEMによる非晶質炭素膜を移動する金原子の動的観察(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTN-12 LiV2O4結晶の環状明視野像におけるリチウムカラム強度解析(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28aTH-1 カーボン原子にアシストされた金アトミックチェーンの生成(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 6p-D-10 "その場"観察によるmisfit 転位の導入機構
• 6p-D-9 Epitaxial 成長膜におけるPsendo morphism の検討 IV
• 3p-TG-6 EpiTaxiaL FilmにおけるPseudo-morphismの検討 II
• 10a-N-5 電顕内蒸着の直接観察 IV
• 4p-E-8 超高真空透過電顕法によるSi(111)(7×7)表面の観察V : 構造モデル
• 4p-E-4 1MV電顕による表面の高分解能像(2)
• 2a-E-8 反射電顕法における散乱電子のエネルギー分析
• 1p-A-4 Si(111)表面におけるAg吸着過程の反射電顕観察
• 4a-B-6 低融点金属のエピタキシー
• 13p-Y-1 超高真空透過電子顕微鏡法によるSi(111)7×7表面の観察II
• 25aWB-3 UHV-TEM法によるSi(111)√×√-Ag上に成長したAg薄膜界面構造の研究
• 21aJA-9 球面収差補正STEMによるZコントラストイメージング(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aJA-10 環状明視野像メカニズムの解明(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 超高真空高分解能電子顕微鏡法によるSi (111) -√3×√3Agの観察
• 24a-PS-36 Si(111)表面のBi√×√吸着相II : 高分解能透過型電子顕微鏡によるBi原子の直接観察
• 5p-E-5 Si(111)表面のBi√3×√3吸着相 : 高分解能超高真空電子顕微鏡による構造解析
• (III) Ag膜上のPdの単原子層膜の電顕観察
• 超高分解能電子顕微鏡によるリチウム原子の可視化
• 球面収差補正透過型電子顕微鏡法を用いたアトミックスケールでの構造解析
• 27pBL-8 表面プラズモンによるZnOナノワイヤーのルミネッセンス増強(27pBL 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
• 27aCL-4 薄膜試料における環状明視野像メカニズムの解明(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 収差補正ABF-STEM法によるLi原子の直接観察
• タイトル無し
• 30a-H-7 高分解能超高真空・電子顕微鏡法・回折法によるSi(111)7×7表面上のGe吸着過程の構造の研究(表面・界面)
• 31p-F4-9 TEMに組合せたSTM機構の試作(表面・界面)
• 25aJB-9 イオン液体とマンガン酸リチウム界面におけるリチウムイオン移動と電極相変化(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 1p-F4-5 電子顕微鏡による成長過程の研究(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
• 30a-H-6 高分解能超高真空反射電顕法によるSi(111)表面上Au吸着過程の研究(表面・界面)
• タイトル無し
• 3a-F4-11 Si(111)表面に吸着した√3×√3Pd膜の透過電顕法による構造解析(表面・界面)
• 27aYF-5 金ヘリカル多層ナノチューブの安定構造(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 31p-A1-9 Si(111)清浄表面の酸素ガスとの反応過程の反射電顕法による観察II(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31p-A1-11 超高真空透過電顕法(TEM-TED)によるSi(111)-Au吸着構造の解析(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31p-A1-10 超高真空透過電顕法(TEM-TED)によるSi(111)-Au吸着構造の解析(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 31p-A1-12 1MV電顕による表面の高分解能像III(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク