谷城 康眞 | 東工大理
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概要
関連著者
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谷城 康眞
東工大理
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八木 克道
東工大理
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箕田 弘喜
東工大理
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谷城 康眞
東工大院
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谷城 康眞
東工大院理工
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八木 克道
東工大・理工学研究科
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高柳 邦夫
東工大理
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鈴木 孝将
物性研
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鈴木 孝将
東工大理
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小林 國男
東工大理
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八木 克道
東京工業大学理学部
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八木 克道
Physics Department Tokyo Institute Of Technology Oh-okayama
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出川 雅士
東工大理
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出川 雅士
東工大院理工
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石黒 菜美
東工大理
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島倉 智一
東工大理
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高橋 茂樹
東工大理
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高柳 邦夫
東工大総理工
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山口 広
東工大理
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島 昌司
東工大理
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千田 満
東工大理
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三留 正則
東工大総理工
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清水 紀嘉
東工大理
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高橋 正悦
東工大理
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山本 直紀
東工大理
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櫻井 眞人
東工大理
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外村 修
東大工
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西村 穂積
東京工業大学理学部物理
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青木 恒勇
豊田中研
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吉田 高穂
東工大総理工
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高橋 茂樹
東工大 理
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妹尾 隆志
東工大理
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外村 修
東工大理
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青木 恒勇
東工大理
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倉橋 暢彦
東工大理
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西井 勝巳
東工大理
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西村 穂積
東工大理
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室岡 賢一
東工大理
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秋山 和裕
東工大理
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櫻井 眞人
東工大総理工
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山崎 邦明
三洋電機
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小林 国男
東工大・理
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岩槻 正志
日本電子
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八本 克道
東工大理
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森島 育栄
東工大理
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岩槻 正志
日本電子(株)
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岸 信之
東工大理
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青木 進
日本電子
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天草 貴昭
日本電子
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天草 貴昭
日本電子(株)
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小林 國男
東工大 理
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箕田 弘善
東工大理
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小澤 聡一郎
東工大理
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山中 朗
東工大理
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金森 弘雄
東工大理
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山崎 邦明
東工大理
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秋元 健吾
東工大理
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木間 逸朗
東工大理
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蓑田 弘喜
東工大理
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梶山 耕成
東工大理
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大井 公郎
日本電子(株)
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内海 博
日本電子(株)
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小澤 聡一郎
東工大・理
著作論文
- 29a-PS-23 Si(111)-CaF_2上でのSi薄膜の成長II
- Si(111)-CaF2上のSi薄膜の構造と電気伝導
- 24pPSA-57 Si(111)微斜面上における通電効果のoff角依存性
- 反射電子顕微鏡法におけるEnergy filtered holography
- 25pT-1 Si(111)面上における通電によるSi adatomのドリフト方向
- 24aPS-52 Si(111)面上における直流通電加熱によるステップ不安定性の研究
- 24aPS-51 Si(111)微斜面上のstep-down通電によるin-phase step wandering
- 24aPS-40 反射電子顕微鏡法におけるエネルギーフィルタリング
- 22aT-11 反射電子顕微鏡法におけるEnergy filtered holography
- 26aPS-29 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用III : エネルギーフィルタリング
- 28p-PSB-23 REM用傍熱型試料ホルダーの製作とSi表面通電効果への応用
- 27a-ZD-1 REM-RHEED法による表面エレクトロマイグレーションの観察 II
- 27p-R-3 REM-RHEED法による表面エレクトロマイグレーションの観察
- 29a-PS-16 双探針STMを用いた金属吸着Si(111)-√×√-Ag表面の研究
- 27a-PS-46 双探針STMの開発II
- 31a-PS-36 双探計STMの開発
- 7a-PS-17 Si(001)表面上のAu吸着のSTMその場観察
- 24pW-8 通電によるSi(111)微斜面上のステップパンチングとワンダリング
- 28p-PSB-24 Si微斜面のステップ構造のREM観察
- 29a-PS-18 Si(111)表面およびその微斜面における通電効果II
- 27a-PS-39 Si(111)表面およびその微斜面における通電効果
- 27p-R-10 Siホモエピタキシャル成長のREM法によるその場観察(II)
- 5a-PS-25 REM法によるSiホモエピタキシャル成長のその場観察
- 31a-T-2 電顕内Si蒸着用E-gunの試作とその応用
- 30a-TA-9 Si(111)√×√-AgのHR-REMによる観察
- 26aPS-28 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用 II : 高分解能REM
- 24aY-4 Si(111), (110)微斜面の熱平衡形状のREM観察III
- 27a-PS-16 Si微斜面の熱平衡形状への移行の初期過程のREM観察II
- 31a-PS-13 Si微斜面と高指数表面のREM観察
- 7a-PS-24 Si基板上に成長させたSi粒子の形状のSEM観察
- 31a-T-7 Au吸着Si表面におけるファセット形成のREM法による研究
- 29a-PS-25 Si(113)表面のTED観察III
- Si(113)表面のTEM-TED観察II
- Au吸着Si(111)表面における相転移と通電効果のREM観察
- 26a-A-1 電顕内その場蒸着法による準結晶の作成II
- 2p-TA-4 電顕内その場蒸着法による準結晶の作製
- 30a-TA-4 電顕内酸化法によるTEM-TED観察用Si薄膜の作成
- 30a-T-5 Ge超微粒子の超高真空・高分解能電子顕微鏡法による観察
- 4p-B4-7 金属超微粒子の構造不安定性
- 28p-PSB-25 Si(111)表面における通電効果の解析
- 4a-NM-11 Au(111)表面構造の相転移
- 4a-RJ-2 超高真空透過電顕法によるSi(111)7×7表面の観察IV : 構造モデル
- 4a-RJ-1 超高真空透過電顕法によるSi(111)-7×7表面の観察III
- 4a-M-8 Si(111)-(7×7)表面構造格子像の反射電顕法による観察
- 4p-E-5 Si(111)清浄表面の酸素・水素ガスとの反応過程の反射電顕法による観察
- 29a-Y-13 Au(001)再配列表面のTEM観察
- 30a-YF-10 Si(111)急冷表面のSTM観察III
- 7a-PS-11 Si(111)急冷表面のSTM観察II
- Si(111)急冷表面のSTM観察
- 31a-WC-5 昇温Si(111)基板の電気電導 II
- 4p-E-8 超高真空透過電顕法によるSi(111)(7×7)表面の観察V : 構造モデル
- 2a-E-8 反射電顕法における散乱電子のエネルギー分析
- 反射電子顕微鏡法によるSi(111)清浄表面における通電効果の研究
- 13p-Y-1 超高真空透過電子顕微鏡法によるSi(111)7×7表面の観察II
- 31a-WC-2 Si(111)清浄表面および金属吸着表面のTEM-TED観察 II
- 15a-DJ-9 Si(111)清浄表面および金属吸着表面のTEM-TED観察I
- 超高真空高分解能電子顕微鏡法によるSi (111) -√3×√3Agの観察
- 29a-PS-17 Si(001)微斜面上における通電効果II
- 27a-PS-38 Si(001)及びその微斜面上における通電効果
- 30p-TA-7 Si清浄表面における金属共吸着のREM観察 II
- 29a-PS-12 Si高指数面上のAu吸着誘起ファセッティングのREM-RHEED観察II
- 27a-PS-40 Si高指数面上のAu吸着誘起ファセッティングのREM-RHEED観察
- 14p-DJ-1 Si円筒穴表面のREM観察II
- 30a-H-7 高分解能超高真空・電子顕微鏡法・回折法によるSi(111)7×7表面上のGe吸着過程の構造の研究(表面・界面)
- 31p-F4-9 TEMに組合せたSTM機構の試作(表面・界面)
- 30a-H-6 高分解能超高真空反射電顕法によるSi(111)表面上Au吸着過程の研究(表面・界面)
- タイトル無し
- 3a-F4-11 Si(111)表面に吸着した√3×√3Pd膜の透過電顕法による構造解析(表面・界面)
- 31p-A1-9 Si(111)清浄表面の酸素ガスとの反応過程の反射電顕法による観察II(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 31p-A1-11 超高真空透過電顕法(TEM-TED)によるSi(111)-Au吸着構造の解析(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 28a-TJ-2 高分解能反射電子顕微鏡によるSi(111)-7×7表面構造の観察(28aTJ 表面・界面)
- 28p-TG-8 Pb超微粒子の融解 : 高分解能・超高真空電子顕微鏡による"その場"観察(28pTG 表面・界面(超微粒子))
- 31p-A1-10 超高真空透過電顕法(TEM-TED)によるSi(111)-Au吸着構造の解析(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)