八木 克道 | 東工大・理工学研究科
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概要
関連著者
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八木 克道
東工大・理工学研究科
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谷城 康眞
東工大院理工
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谷城 康眞
東工大院
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箕田 弘喜
東工大理
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八木 克道
東工大理
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谷城 康眞
東工大理
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八木 克道
東京工業大学理学部
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八木 克道
Physics Department Tokyo Institute Of Technology Oh-okayama
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鈴木 孝将
物性研
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出川 雅士
東工大院理工
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出川 雅士
東工大理
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鈴木 孝将
東工大理
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石黒 菜美
東工大理
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島倉 智一
東工大理
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八木 克道
東京工業大学
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箕田 弘喜
東工大院理工
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八木 克道
東工大院理工
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八木 克道
東工大・理
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箕田 弘喜
東工大・理工学研究科
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箕田 弘喜
東京工業大学・理工学研究科
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西村 穂積
東京工業大学理学部物理
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箕田 弘喜
東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻
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外村 修
東大工
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竹口 雅樹
物質・材料研究機構
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谷城 康眞
東工大・理工学研究科
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鈴木 孝将
東京工業大学大学院理工学研究科
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Hoegen M.Horn
Univ. Hannover
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外村 修
東工大理
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岡本 公人
日本電子
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竹口 雅樹
金材研
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竹口 雅樹
Nims
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竹口 雅樹
物質・材料研究機構 超高圧電子顕微鏡ステーション
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竹口 雅樹
(独)物質・材料研究機構 ナノ計測センター
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倉橋 暢彦
東工大理
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西村 穂積
東工大理
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谷城 康眞
東工大・理
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出口 俊二
日本電子株式会社電子光学機器本部
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岩槻 正志
日本電子
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八本 克道
東工大理
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Peng Y.
東工大院理工
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森島 育栄
東工大理
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出川 雅士
東京工業大学理学部物理
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谷城 康眞
東京工業大学理学部物理
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出川 雅士
東大工理
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箕田 弘喜
東大工理
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谷城 康眞
東大工理
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八木 克道
東大工理
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青木 恒勇
豊田中研
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成瀬 幹夫
日本電子
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谷城 康眞
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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成瀬 幹夫
日本電子(株)
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Heringdorf F.
Univ. Hannover
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HERINGDORF F.-J.Meyer
Univ. of Hannover
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青木 進
日本電子
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天草 貴昭
日本電子
-
天草 貴昭
日本電子(株)
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谷城 眞城
東工大院理工
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鈴木 孝将
東工大院理工
-
石黒 菜美
東工大院理工
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岡本 公治
日本電子
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河西 亨
日本電子
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守谷 幸二
日本電子
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川添 宗之
日本電子
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谷城 康眞
東工大・物理
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箕田 弘喜
東工大・物理
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鈴木 孝将
東工大・物理
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八木 克道
東工大・物理
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出口 俊二
日本電子
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谷城 康眞
東京工業大学大学院理工学研究科
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谷城 康眞
東京工業大学
著作論文
- 28aXC-7 反射電子顕微鏡法におけるenergy-filtered electron interferometry II
- 29pPSA-26 高分解能超高真空電子顕微鏡を用いたSi高指数面や微斜面の観察
- 28aTA-14 Si(111)微斜面上の直流通電加熱誘起のin-phase step wanderingの直流電流成分依存性の研究
- 24pPSA-57 Si(111)微斜面上における通電効果のoff角依存性
- 24pPSA-16 Si(5 5 12)面上のAu吸着過程の高分解能REM観察
- 23pWA-9 Si(111)微斜面上での直流通電効果のAu吸着によるステップ構造変化の反射電子顕微鏡による研究
- 反射電子顕微鏡法におけるEnergy filtered holography
- Si(111)微斜面上での直流通電効果のAu吸着による変化の反射電子顕微鏡による研究
- 超高真空電顕法
- 25pT-1 Si(111)面上における通電によるSi adatomのドリフト方向
- 24aPS-52 Si(111)面上における直流通電加熱によるステップ不安定性の研究
- 24aPS-51 Si(111)微斜面上のstep-down通電によるin-phase step wandering
- 24aPS-40 反射電子顕微鏡法におけるエネルギーフィルタリング
- 23aT-7 Si表面における通電と吸着によるステップダイナミックス
- 22aT-11 反射電子顕微鏡法におけるEnergy filtered holography
- 表面における原子ダイナミックス (特集:表面・界面科学研究)
- 反射電子顕微鏡で見たSi高指数面と微斜面
- Si微斜面での通電効果と表面形態
- 26aPS-44 Si(111)面上におけるSi粒子のエレクトロマイグレーション
- 26aPS-29 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用III : エネルギーフィルタリング
- 24pW-7 Si(001)微斜面上のAu吸着誘起ファセッティングの研究 IV
- 29a-PS-16 双探針STMを用いた金属吸着Si(111)-√×√-Ag表面の研究
- 27a-PS-46 双探針STMの開発II
- 26a-YR-7 高指数Si表面上のAu吸着誘起ファセッティングのSPA-LEED法による研究
- 31a-PS-36 双探計STMの開発
- 24pW-8 通電によるSi(111)微斜面上のステップパンチングとワンダリング
- シリコン表面におけるステップバンチングとファセット形成
- 29a-PS-18 Si(111)表面およびその微斜面における通電効果II
- 27a-PS-39 Si(111)表面およびその微斜面における通電効果
- 26aPS-28 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用 II : 高分解能REM
- 24aY-6 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用 I
- 24aY-4 Si(111), (110)微斜面の熱平衡形状のREM観察III
- Ω型エネルギーフィルターを内臓した超高真空電子顕微鏡の開発
- 27a-PS-16 Si微斜面の熱平衡形状への移行の初期過程のREM観察II
- 29a-PS-17 Si(001)微斜面上における通電効果II
- 27a-PS-38 Si(001)及びその微斜面上における通電効果
- 29a-PS-12 Si高指数面上のAu吸着誘起ファセッティングのREM-RHEED観察II
- 27a-PS-40 Si高指数面上のAu吸着誘起ファセッティングのREM-RHEED観察
- 25aL-5 サーファクタント媒介エピタキシーにおける核生成
- 31p-YF-12 Si(001)微斜面上のAu吸着誘起ファセッティングの研究III