谷城 康眞 | 東工大院
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概要
関連著者
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谷城 康眞
東工大院
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谷城 康眞
東工大院理工
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谷城 康眞
東工大理
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八木 克道
東工大理
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箕田 弘喜
東工大理
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八木 克道
東工大・理工学研究科
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鈴木 孝将
物性研
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八木 克道
東京工業大学理学部
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八木 克道
Physics Department Tokyo Institute Of Technology Oh-okayama
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鈴木 孝将
東工大理
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出川 雅士
東工大院理工
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箕田 弘喜
東工大院理工
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出川 雅士
東工大理
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高柳 邦夫
東工大院理工
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石黒 菜美
東工大理
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八木 克道
東工大・理
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八木 克道
東工大院理工
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箕田 弘喜
東工大・理工学研究科
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谷城 康眞
東工大・理工学研究科
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島倉 智一
東工大理
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柴田 沙希子
東工大院総理工
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竹口 雅樹
物質・材料研究機構
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西村 穂積
東京工業大学理学部物理
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千田 満
東工大理
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竹口 雅樹
Nims
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竹口 雅樹
物質・材料研究機構 超高圧電子顕微鏡ステーション
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竹口 雅樹
(独)物質・材料研究機構 ナノ計測センター
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高柳 邦夫
東工大理工
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櫻井 眞人
東工大理
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高柳 邦夫
東工大理
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高柳 邦夫
東工大総理工
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外村 修
東大工
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八木 克道
東工大 理
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高柳 邦夫
東工大 総理工
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箕田 弘喜
東工大 理
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青木 恒勇
豊田中研
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高柳 邦夫
東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻
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箕田 弘喜
東京農工大・工:jst-crest
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箕田 弘喜
東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻
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谷城 康眞
東工大 理
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外村 修
東工大理
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高橋 優子
東京工大理
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岡本 公人
日本電子
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竹口 雅樹
金材研
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青木 恒勇
東工大理
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大島 義文
東工大 総理工
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箕田 弘喜
東京工大理
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谷城 康真
東京工大理
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八木 克道
東京工大理
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高柳 邦夫
東工大院総合理工
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倉橋 暢彦
東工大理
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西村 穂積
東工大理
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谷城 康眞
東京工業大学大学院理工学研究科
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谷城 康眞
東工大・理
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山本 直紀
東工大 理
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山本 直紀
東工大・理
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長谷川 修司
東大院理
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近藤 行人
JST-CREST
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櫻井 眞人
東工大総理工
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出口 俊二
日本電子株式会社電子光学機器本部
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大島 義文
東工大総理工
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山本 直紀
東京工業大学大学院理工学研究科
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岩槻 正志
日本電子
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八本 克道
東工大理
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Peng Y.
東工大院理工
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箕田 弘喜
東京工業大学・理工学研究科
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森島 育栄
東工大理
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鈴木 孝将
東京工業大学大学院理工学研究科
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出川 雅士
東京工業大学理学部物理
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谷城 康眞
東京工業大学理学部物理
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出川 雅士
東大工理
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箕田 弘喜
東大工理
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谷城 康眞
東大工理
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八木 克道
東大工理
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橋川 直人
ルネサステクノロジ
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大島 義文
JST-CREST
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澤田 英敬
JST-CRESTA
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有本 明希子
東工大院総理工
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近藤 行人
Jst-crest:日本電子
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谷城 康眞
東工大院理工:jst-crest
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成瀬 幹夫
日本電子
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高柳 邦夫
東京工業大学
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谷城 康眞
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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沢田 英敬
Jst-crest:日本電子
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沢田 英敬
東大工
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澤田 英敬
Jst-cresta:日本電子
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成瀬 幹夫
日本電子(株)
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鈴木 孝将
東工大 理
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妹尾 隆志
東工大理
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日本電子
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天草 貴昭
日本電子
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天草 貴昭
日本電子(株)
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中山 佳子
Nims
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谷城 眞城
東工大院理工
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鈴木 孝将
東工大院理工
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石黒 菜美
東工大院理工
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岡本 公治
日本電子
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河西 亨
日本電子
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守谷 幸二
日本電子
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川添 宗之
日本電子
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谷城 康眞
東工大・物理
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箕田 弘喜
東工大・物理
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鈴木 孝将
東工大・物理
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八木 克道
東工大・物理
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箕田 弘善
東工大理
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小宮山 英明
東工大院理工
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沢田 英敏
Jst-ceest:日本電子
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高柳 邦夫
東工大
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出口 俊二
日本電子
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橋川 直人
日本電子
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朝山 匡一郎
東工大院理工
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金 秀鉉
東工大院理工
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田村 浩昭
東工大・理
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澤田 英敬
Jst-crest:日本電子
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秋元 健吾
東工大理
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李 少淵
東工大
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谷城 康眞
東工大院総合理工
-
李 少淵
東工大院総合理工
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大島 義文
阪大電顕センター
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高柳 邦夫
東京工業大学物性物理学専攻
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八木 克道
東京工業大学
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有本 明希子
東工大総理工
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谷城 康眞
東工大理工
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谷城 康眞
東京工業大学
著作論文
- 29a-PS-23 Si(111)-CaF_2上でのSi薄膜の成長II
- Si(111)-CaF2上のSi薄膜の構造と電気伝導
- 28aXC-7 反射電子顕微鏡法におけるenergy-filtered electron interferometry II
- 29pPSA-26 高分解能超高真空電子顕微鏡を用いたSi高指数面や微斜面の観察
- 28aTA-14 Si(111)微斜面上の直流通電加熱誘起のin-phase step wanderingの直流電流成分依存性の研究
- 24pPSA-57 Si(111)微斜面上における通電効果のoff角依存性
- 24pPSA-16 Si(5 5 12)面上のAu吸着過程の高分解能REM観察
- 反射電子顕微鏡法におけるEnergy filtered holography
- 25pT-1 Si(111)面上における通電によるSi adatomのドリフト方向
- 24aPS-52 Si(111)面上における直流通電加熱によるステップ不安定性の研究
- 24aPS-51 Si(111)微斜面上のstep-down通電によるin-phase step wandering
- 24aPS-40 反射電子顕微鏡法におけるエネルギーフィルタリング
- 23aT-7 Si表面における通電と吸着によるステップダイナミックス
- 22aT-11 反射電子顕微鏡法におけるEnergy filtered holography
- Si微斜面での通電効果と表面形態
- 26aPS-44 Si(111)面上におけるSi粒子のエレクトロマイグレーション
- 26aPS-29 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用III : エネルギーフィルタリング
- 29a-PS-16 双探針STMを用いた金属吸着Si(111)-√×√-Ag表面の研究
- 27a-PS-46 双探針STMの開発II
- 31a-PS-36 双探計STMの開発
- 7a-PS-17 Si(001)表面上のAu吸着のSTMその場観察
- 30pWP-5 金属ナノワイヤの半整数量子化コンダクタンス(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
- 21aYE-10 TEM-AFM による Au ナノワイヤーの構造観察および力計測
- 20aPS-70 TEM-AFM を用いた Au ワイヤーの研究
- 31aZF-8 UHV-TEM 装着用超小型 AFM ユニットの開発
- 28pPSB-64 UHV-TEM 装着用超小型 AFM ユニットを用いた Au ナノワイヤーの力計測
- 24pW-8 通電によるSi(111)微斜面上のステップパンチングとワンダリング
- 30a-YF-9 Si(111)微斜面上のCu吸着誘起ステップバンチングのREM観察II
- 7a-PS-16 Si(111)微斜面上のCu吸着誘起ステップパンチングのREM観察
- 28p-PSB-24 Si微斜面のステップ構造のREM観察
- 29a-PS-18 Si(111)表面およびその微斜面における通電効果II
- 27a-PS-39 Si(111)表面およびその微斜面における通電効果
- 26aPS-28 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用 II : 高分解能REM
- 24aY-6 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用 I
- 24aY-4 Si(111), (110)微斜面の熱平衡形状のREM観察III
- Ω型エネルギーフィルターを内臓した超高真空電子顕微鏡の開発
- 27a-PS-16 Si微斜面の熱平衡形状への移行の初期過程のREM観察II
- 31a-PS-13 Si微斜面と高指数表面のREM観察
- 7a-PS-24 Si基板上に成長させたSi粒子の形状のSEM観察
- 31a-T-7 Au吸着Si表面におけるファセット形成のREM法による研究
- 29a-PS-25 Si(113)表面のTED観察III
- Si(113)表面のTEM-TED観察II
- 3a-J-7 Si高指数表面のTEM-TED観察
- 領域9「ナノコンタクト・ナノワイヤの伝導」(2003年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 超高真空エネルギーフィルター電子顕微鏡による表面研究
- 24aPS-37 Si結晶の高角度入射-STEM像の定量解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Au吸着Si(111)表面における相転移と通電効果のREM観察
- 28p-PSB-25 Si(111)表面における通電効果の解析
- 31p-PSB-37 歪印加試料ホルダーによる表面内部応力の研究
- 30a-YF-10 Si(111)急冷表面のSTM観察III
- 7a-PS-11 Si(111)急冷表面のSTM観察II
- Si(111)急冷表面のSTM観察
- 反射電子顕微鏡法によるSi(111)清浄表面における通電効果の研究
- 29a-PS-17 Si(001)微斜面上における通電効果II
- 27a-PS-38 Si(001)及びその微斜面上における通電効果
- 29a-PS-12 Si高指数面上のAu吸着誘起ファセッティングのREM-RHEED観察II
- 27a-PS-40 Si高指数面上のAu吸着誘起ファセッティングのREM-RHEED観察
- 27aCL-4 薄膜試料における環状明視野像メカニズムの解明(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 31p-PSB-28 結晶成長に及ぼす外部応力の影響の研究
- 金属吸着表面上のSiおよびGe成長の研究 : 無機結晶II
- 31p-S-6 In吸着Si(111)表面上におけるGe成長過程の研究
- 25pPSB-56 Aglから析出したAg細線のコンダクタンス(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))