Si(111)-CaF2上のSi薄膜の構造と電気伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-09-13
著者
関連論文
- 液体ヘリウム温度電子顕微鏡試料ホルダーの試作 : X線, 粒子線
- 29a-PS-23 Si(111)-CaF_2上でのSi薄膜の成長II
- Si(111)-CaF2上のSi薄膜の構造と電気伝導
- 30p-L-4 複合結晶PbS-TS_2(T=V、Nb、Ta)の電子顕微鏡観察
- 24a-Q-3 電子顕微鏡による(PbS)_VS_2の観察
- 1p-H-1 収束電子回折法によるSr(Ta_Nb_x)_2O_7の研究
- 反射電子顕微鏡法におけるEnergy filtered holography
- 25pT-1 Si(111)面上における通電によるSi adatomのドリフト方向
- 24aPS-52 Si(111)面上における直流通電加熱によるステップ不安定性の研究
- 24aPS-51 Si(111)微斜面上のstep-down通電によるin-phase step wandering
- 24aPS-40 反射電子顕微鏡法におけるエネルギーフィルタリング
- 22aT-11 反射電子顕微鏡法におけるEnergy filtered holography
- 26aPS-29 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用III : エネルギーフィルタリング
- 4a-B-3 AESによる薄膜成長機構の研究
- 28p-PSB-23 REM用傍熱型試料ホルダーの製作とSi表面通電効果への応用
- 27a-ZD-1 REM-RHEED法による表面エレクトロマイグレーションの観察 II
- 27p-R-3 REM-RHEED法による表面エレクトロマイグレーションの観察
- 24pW-7 Si(001)微斜面上のAu吸着誘起ファセッティングの研究 IV
- 29a-PS-16 双探針STMを用いた金属吸着Si(111)-√×√-Ag表面の研究
- 27a-PS-46 双探針STMの開発II
- 26a-YR-7 高指数Si表面上のAu吸着誘起ファセッティングのSPA-LEED法による研究
- 31a-PS-36 双探計STMの開発
- 7a-PS-17 Si(001)表面上のAu吸着のSTMその場観察
- 24pW-8 通電によるSi(111)微斜面上のステップパンチングとワンダリング
- 28p-PSB-24 Si微斜面のステップ構造のREM観察
- 29a-PS-18 Si(111)表面およびその微斜面における通電効果II
- 27a-PS-39 Si(111)表面およびその微斜面における通電効果
- 27p-R-10 Siホモエピタキシャル成長のREM法によるその場観察(II)
- 5a-PS-25 REM法によるSiホモエピタキシャル成長のその場観察
- 31a-T-2 電顕内Si蒸着用E-gunの試作とその応用
- 26aPS-28 電界放出型エネルギーフィルター電子顕微鏡の開発と表面研究への応用 II : 高分解能REM
- 24aY-4 Si(111), (110)微斜面の熱平衡形状のREM観察III
- 27a-PS-16 Si微斜面の熱平衡形状への移行の初期過程のREM観察II
- 31a-PS-13 Si微斜面と高指数表面のREM観察
- 7a-PS-24 Si基板上に成長させたSi粒子の形状のSEM観察
- 31a-T-7 Au吸着Si表面におけるファセット形成のREM法による研究
- 29a-PS-25 Si(113)表面のTED観察III
- Si(113)表面のTEM-TED観察II
- 3a-C-11 Sr_2Nb_2O_7のIncommensurate相の電顕観察
- 2p GG-2 Sr_2Ta_2O_7およびSr_2Nb_2O_7の構造相転移の電顕観察
- 6a-AG-8 電顕内蒸着用E-Gunの製作とその応用
- 30p-W-14 GeTe/PbTe,GeTe/SnTe 膜における Pseudomorphism
- 30p-W-12 電顕内蒸着による直接観察 (GeTe/SnTe, GeTe/PbTe)
- 6a-B5-4 超高電圧電子顕微鏡によるREM法の試み
- 10p-E-5 電子顕微鏡内スパッタリングによる結晶表面の清浄化
- 6p-W-3 エピタキシャル成長核方位の格子間隔適合度依存性
- Au吸着Si(111)表面における相転移と通電効果のREM観察
- 29p-PSB-2 超高真空REM-PEEMによる表面の観察
- 30p-L-8 光電子顕微鏡による表面観察
- 26a-A-1 電顕内その場蒸着法による準結晶の作成II
- 24p-Q-10 市販TEMを用いた光電子顕微鏡視察
- 25a-R-4 Si清浄表面および金属吸着表面の高分解能TEM観察IV
- 2p-TA-4 電顕内その場蒸着法による準結晶の作製
- 2p-E-13 Si清浄表面および金属吸着表面の高分解能TEM観察III
- 30a-TA-5 Si清浄表面および金属吸着表面の高分解能TEM観察II
- 30a-TA-4 電顕内酸化法によるTEM-TED観察用Si薄膜の作成
- 30a-L-4 半導体超格子の反射電子顕微鏡像のシミュレーション
- 7a-Ps-4 Si(001)微斜上のAu吸着誘起ファセッティングの研究II : SPA-LEED観察
- 8a-H-9 Si(001)微斜面上のAu吸着誘起ファセッティングの研究 I: REM-RHHED観察
- 28p-PSB-25 Si(111)表面における通電効果の解析
- 4a-NM-11 Au(111)表面構造の相転移
- 31p-J-7 金属表面に吸着したPbのIncomensurate単原子層
- 4a-RJ-2 超高真空透過電顕法によるSi(111)7×7表面の観察IV : 構造モデル
- 4a-RJ-1 超高真空透過電顕法によるSi(111)-7×7表面の観察III
- 4a-M-8 Si(111)-(7×7)表面構造格子像の反射電顕法による観察
- 4p-E-5 Si(111)清浄表面の酸素・水素ガスとの反応過程の反射電顕法による観察
- 29a-Y-13 Au(001)再配列表面のTEM観察
- 4a-B4-4 反射電子顕微鏡法による表面エレクトロマイグレーションの観察
- 30a-YF-10 Si(111)急冷表面のSTM観察III
- 7a-PS-11 Si(111)急冷表面のSTM観察II
- Si(111)急冷表面のSTM観察
- 31a-WC-5 昇温Si(111)基板の電気電導 II
- 6p-D-10 "その場"観察によるmisfit 転位の導入機構
- 6p-D-9 Epitaxial 成長膜におけるPsendo morphism の検討 IV
- 3p-TG-6 EpiTaxiaL FilmにおけるPseudo-morphismの検討 II
- 3p-TG-5 多重双晶粒子の成長
- 10a-N-5 電顕内蒸着の直接観察 IV
- 4p-E-8 超高真空透過電顕法によるSi(111)(7×7)表面の観察V : 構造モデル
- 4p-E-4 1MV電顕による表面の高分解能像(2)
- 2a-E-8 反射電顕法における散乱電子のエネルギー分析
- 1p-A-4 Si(111)表面におけるAg吸着過程の反射電顕観察
- 4a-B-6 低融点金属のエピタキシー
- 13a-PS-10 Bi吸着Si(111)表面上のGea成長のREM観察
- 9a-N-6 電子顕微鏡内電場印加による強誘電体の分域構造の観察
- 7a-K-12 Gd_2(MoO_4)_3の電子顕微鏡観察III
- 10p-K-4 Gd_2(MoO_4)_3の反位相境界における格子緩和
- 11p-J-11 Gd_2(MoO_4)_3の反位相境界の電顕コントラスト II
- 反射電子顕微鏡法によるSi(111)清浄表面における通電効果の研究
- 13p-Y-1 超高真空透過電子顕微鏡法によるSi(111)7×7表面の観察II
- 31a-WC-2 Si(111)清浄表面および金属吸着表面のTEM-TED観察 II
- 15a-DJ-9 Si(111)清浄表面および金属吸着表面のTEM-TED観察I
- 29a-PS-17 Si(001)微斜面上における通電効果II
- 27a-PS-38 Si(001)及びその微斜面上における通電効果
- 30p-TA-7 Si清浄表面における金属共吸着のREM観察 II
- (III) Ag膜上のPdの単原子層膜の電顕観察
- 29a-PS-12 Si高指数面上のAu吸着誘起ファセッティングのREM-RHEED観察II
- 27a-PS-40 Si高指数面上のAu吸着誘起ファセッティングのREM-RHEED観察
- 14p-DJ-1 Si円筒穴表面のREM観察II
- 超高真空電子顕微鏡 (回折実験技術の進歩) -- (電子線回折)
- タイトル無し