谷城 康眞 | 東工大 理
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概要
関連著者
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谷城 康眞
東工大 理
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東工大 理
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東工大 理
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石塚 哲夫
東工大 理
著作論文
- 29p-H-7 Si(111)1×1-7×7相転移過程における通電効果II
- 27p-PSA-2 Si(111)1×1-7×7相転移過程における通電効果
- 25a-Y-9 REM-RHEED法による表面エレクトロマイグレーションの観察 IV
- 28a-ZS-10 REM-RHEED法による表面エレクトロマイグレーションの観察 III
- 28a-ZS-9 透過電子顕微鏡によるSi(001)表面の観察
- 3p-M-1 超高真空反射電子顕微鏡法による (111)Si 表面過程の観察 II
- 2p GK-7 超高真空反射電子顕微鏡法による (111)Si表面過程の観察
- 2p GK-3 超高真空電顕による (111)Au表面の観察 II
- 3a-J-7 Si高指数表面のTEM-TED観察
- 4a-U-4 Pb(111)表面上の金属原子吸着初期過程 Au,Ag/Pb
- 3p-M-2 超高真空電顕による (111)Au 表面の観察 III
- 2p-D-1 超高真空電顕によるAg(111)表面ステップの動的観察
- 30a-F-9 超高電圧, 超高真空電顕その場観察用蒸着源の試作
- 3p-N-2 白金(111)表面のREM観察とその上の金の成長
- 3a-S-10 Au微粒子(001)表面再配列構造の高分解能電子顕微鏡法による解析
- 4a-U-5 Pb/(111)Auの成長初期過程のUHV-透過電子顕微鏡観察
- 1p-S-8 Si(111)表面の√×√金属吸着構造の超高真空透過電顕法(TEM-TED)による解析
- 28p-PSB-12 応力印加試料ホルダーの試作とシリコン表面への応用
- 5p-T-12 Si(111)面上の金属共吸着のREM観察
- 31a-WC-1 Si円筒穴表面のREM観察 III
- 31p-S-6 In吸着Si(111)表面上におけるGe成長過程の研究
- 30p-CH-14 REM法による中性原子スパッター白金(111)表面の観察(放射線物理,第41回年会)
- 29p-BG-6 si(111)-7×7表面へのCu初期成長過程の動的観察(29p BG 表面・界面)