中出 浩之 | 東工大総理工

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著作論文

• 28a-ZC-6 低エネルギー多価イオンの電荷移行反応XX : Kr^イオン・二原子分子衝突系における電子捕獲反応断面積(q=4.9)
• 18aWD-7 Si(111)√x√-Ag表面とAg薄膜のC-ICストライプ界面
• 25aWB-3 UHV-TEM法によるSi(111)√×√-Ag上に成長したAg薄膜界面構造の研究

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