小野 倫也 | 阪大院工
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概要
関連著者
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小野 倫也
阪大院工
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広瀬 喜久治
阪大院工
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江上 喜幸
長大工
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広瀬 喜久治
阪大工
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小野 倫也
阪大工
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小野 倫也
阪大・工
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塚本 茂
科技機構:物材機構
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小野 倫也
大阪大学大学院工学研究科:大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター
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広瀬 喜久治
阪大・工・精密
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藤本 義隆
東工大理
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江上 喜幸
長大先端計算セ
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塚本 茂
ユーリッヒ研究セ固体研
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広瀬 喜久治
阪大・工
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広瀬 喜久治
大阪大学大学院工学研究科
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佐々木 孝
阪大・工
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北島 秀樹
阪大工
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江上 喜幸
阪大院工
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齊藤 正一朗
阪大院工
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後藤 英和
大阪大学
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遠藤 勝義
阪大院工
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中山 博幸
阪大・工
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中川 大輔
阪大院工
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太田 督
阪大院工
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後藤 英和
阪大院工
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後藤 英和
阪大・工
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大塚 順
阪大工
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堀江 伸哉
阪大工
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高柳 邦夫
東工大院理工
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後藤 英和
大阪大学大学院工学研究科
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久留井 慶彦
東京工業大学大学院理工学研究科
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後藤 英和
阪大工
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遠藤 勝義
大阪大学大学院工学研究科
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遠藤 勝義
大阪大学大学院
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志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
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高柳 邦夫
東工大理
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大島 義文
東工大総理工
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高柳 邦夫
東工大総理工
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宮本 岩男
東京理科大学 基礎工学研究科電子応用工学専攻
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高柳 邦夫
東工大 総理工
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谷口 淳
東京理科大学基礎工学部
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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遠藤 勝義
阪大工
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高柳 邦夫
東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻
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高柳 邦夫
東京工業大学
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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中川 大輔
阪大・工
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小野 倫也
阪大院・工
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広瀬 喜久治
阪大院・工
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佐々木 孝
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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江上 喜幸
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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谷出 敦
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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斉藤 正一朗
阪大工
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江上 喜幸
長崎大工
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北島 秀樹
阪大・工
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江上 喜幸
阪大・工
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中山 博幸
大阪大学大学院工学研究科
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荒木 真
東京理科大学基礎工学研究科
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谷口 淳
東京理科大学
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岡本 学
大阪大学大学院工学研究科
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宮本 岩男
東京理科大学基礎工学部
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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齊藤 真里奈
大阪大学工学部
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齊藤 正一朗
大阪大学大学院工学研究科
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朽木 克博
大阪大学大学院工学研究科
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宮本 岩男
東京理科大学
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谷出 敦
阪大・工
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高柳 邦夫
東工大
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高柳 邦夫
東工大理工
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大島 義文
東工大 総理工
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久留井 慶彦
東工大院理工
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堀江 伸哉
大阪大学工学部
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江上 喜幸
阪大工
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谷口 淳
東京理大 基礎工
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大島 義文
阪大電顕センター
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高柳 邦夫
東工大院総合理工
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Huy Nguyen
阪大院工
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宮本 岩男
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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高柳 邦夫
東京工業大学物性物理学専攻
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小嶋 隆史
阪大院工
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荒木 真
東京理科大学·基礎工学部
著作論文
- 23aGL-9 フラーレン分子鎖の第一原理電子輸送特性計算(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- GeO_2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 28aYE-3 第一原理計算による二次元BNC構造のスピン依存量子輸送特性の解明(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aWB-1 第一原理電子輸送特性計算による酸化シリコン薄膜のリーク電流の予測(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27pPSA-54 第一原理計算による酸化シリコン薄膜のリーク電流の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 29pPSB-34 第一原理に基づくフラーレンダイマーの伝導計算(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 半無限電極に挟まれたナノジャンクションの第一原理電子状態計算法
- 26aQL-5 ナノスケール伝導現象 : 第一原理計算からのアプローチ(第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aQL-5 ナノスケール伝導現象 : 第一原理計算からのアプローチ(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 26aQL-5 ナノスケール伝導現象 : 第一原理計算からのアプローチ(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pPSB-1 酸化ゲルマニウムの原子構造および電子状態解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-34 一次元Al原子ワイヤーの磁気構造(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-2 第一原理に基づくナノ構造体における電気伝導特性計算手法の開発(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXA-8 5d金属原子鎖の電子輸送特性に関する第一原理計算(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-48 第一原理に基づくフラーレンポリマーの電気伝導特性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-12 C_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像の理論的解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aPS-118 第一原理によるフラーレンポリマーの電子状態計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-66 ピーナッツ型フラーレンナノチューブの電子状態計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXH-1 第一原理計算によるAlNナノチューブの分極の計算(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 29pXJ-9 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pXJ-11 第一原理計算によるナノワイヤ列の電気伝導特性予測(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ダイヤモンドからの電界電子放出に関する研究 : 電界電子放出素子作製法の開発及び電界電子放出中のダイヤモンド表面の電子論的解析
- 25aWB-2 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算手法(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27pPSA-6 第一原理計算に基づくオーダーN電子状態計算手法の開発II(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27aXD-7 単原子鎖におけるコンダクタンス振動現象の理論的解析(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-134 第一原理電気伝導計算による水素原子が吸着したSi(001)表面のSTM像の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aPS-9 ワニエ関数を用いた誘電率の計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 第一原理計算によるH原子吸着Si(001)表面のSTM像の解析
- 30pWP-2 金属原子鎖の構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
- 27pPSA-52 第一原理計算によるナノストラクチャーの電気伝導特性の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 第一原理計算によるナノスケール構造体の量子輸送予測 (
- 24aPS-48 第一原理に基づくGe/GeO_2界面欠陥終端化原子種の機能予測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pHG-2 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 28aTH-1 カーボン原子にアシストされた金アトミックチェーンの生成(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pHG-2 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHG-2 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pTL-1 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTL-1 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pTL-1 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 24pRC-2 第一原理に基づくナノ構造の輸送特性計算(24pRC 領域9若手奨励賞受賞記念講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pTG-10 第一原理に基づくナノ構造の輸送特性計算(26pTG 領域9若手奨励賞受賞記念講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-23 第一原理計算によるGe-MOS界面原子構造と電子状態の分析(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-11 第一原理計算によるHfO_2/SiO_2/Si界面の酸素空孔の解析(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))