GeO_2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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GeO_2/Ge界面の形成機構とその界面特性を,第一原理計算およびGe-MOSデバイスの電気測定から検討した.GeO_2ネットワークの柔軟性を反映して,GeO_2/Ge界面はSi酸化膜界面に比べて優れた界面電気特性を示すことを理論的に示した.一方,実際のGe-MOSデバイスでは,大気暴露に伴うGeO_2膜中への不純物混入により膜中固定電荷,C-Vヒステリシスさらには欠陥準位を介した少数キャリア応答が発生する.この様な特性劣化は,電極形成前の真空アニールでGeO_2絶縁膜中の不純物成分を熱脱離させることで改善できる.これらの結果から,Ge-MOSは水素アニール等の欠陥終端化処理を行わなくても優れた界面特性を実現可能ではあるが,実デバイスでは大気暴露に伴ってGeO_2絶縁膜の劣化が進行するため,これを回避するためのプロセス設計が重要であると結論できる.
- 2009-06-12
著者
-
小野 倫也
阪大院工
-
志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
-
小野 倫也
大阪大学大学院工学研究科:大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター
-
細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
岡本 学
大阪大学大学院工学研究科
-
細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
齊藤 真里奈
大阪大学工学部
-
齊藤 正一朗
大阪大学大学院工学研究科
-
朽木 克博
大阪大学大学院工学研究科
-
齊藤 正一朗
阪大院工
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