Pd_2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Pdシリサイドを用いたフルシリサイドゲート形成と不純物添加による仕事関数変調を試みた。Pdは300℃以下の比較的低い温度からシリサイド化反応が起こる。基板加熱時の昇温速度が遅いスパッタ装置内でのランプ加熱の場合にはPdリッチ相が先ず形成された後にPd_2Si相への変化が見られた。不純物を添加すると、表面では針状成長がシリサイド/酸化膜界面ではvoid形成が起こり易いという問題が見つかった。昇温時間の短いホットプレートを用いるとシリサイド形成初期からPd_2Si相が得られ、void形成も抑制することが出来た。ホットプレート法でフルシリサイドMOSダイオードを試作した結果、P、AsまたはSbを注入した素子のC-V特性には正方向へのシフトが見られた。これは、同じ不純物を注入したNiSiの場合とは逆の方向であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
法澤 公成
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
佐野 孝輔
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
関連論文
- 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
- 真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO_2/HfSiO/SiO_2積層構造 High-k 絶縁膜の作製と電気特性評価
- GeO_2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
- 光配線を用いたパターン認識システム基本回路の設計と試作
- ウェハ保管環境の MOS デバイス特性への影響
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- ▽(ナブラ)トレンチアイソレーション : 256M DRAM素子分離技術
- High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- Mo仕事関数シフトへの窒素プロファイルの影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- デュアルゲートCMOS応用を目指したN^+注入によるMo仕事関数制御とその影響
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ゲルマニウム窒化膜の形成と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極浅接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス(シリコン関連材料の作製と評価)
- 超LSI対応レーザー不純物活性化技術
- Pd_2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマベースイオン注入滅菌法における窒素イオンエネルギーの推定
- Sub-keV As^+注入における深さ方向プロファイルの評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 重イオン注入を用いたSuper Steep Retrogradeチャネル形成によるMOSFETしきい値揺らぎの低減
- 傾角注入によるSbエクステンション-ゲート間のオーバーラップ制御
- Extension形成プロセスのIn Haloプロファイルへの影響
- LOCOS端に誘起される欠陥のウエハ種依存性評価
- セルフリミット機構を有するシリコン窒化膜の原子層デポジション
- 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
- 極薄ゲート酸化膜の長期信頼性劣化
- 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
- 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性
- 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO_2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 (シリコン材料・デバイス)
- 放射光X線トポグラフィによる極薄ひずみSi層の結晶性評価
- 熱酸化SiO/SiC界面原子構造と界面電気特性の評価 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- High-κゲートスタック技術の進展と最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)
- 1-2 High-kゲートスタック技術の進展と最新動向(1.CMOS技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k ゲートスタック技術の進展と最新動向
- 熱酸化SiO_2/SiC界面原子構造と界面電気特性の評価