プラズマベースイオン注入滅菌法における窒素イオンエネルギーの推定
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概要
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Plasma based ion implantation (PBII) with negative voltage pulses to the test specimen has been applied to the sterilization process as a technique suitable for three-dimensional work pieces. Pulsed high negative voltage (5 μs pulse width, 300 pulses/s, -800 V to -15 kV) was applied to the electrode in this process at a gas pressure of 2.4 Pa of N2. We found that the PBII process, in which N2 gas self-ignitted plasma generated by only pulsed voltages is used, reduces the number of active Bacillus pumilus cell. The number of bacteria survivors was reduced by 10-5 x with 5 min exposure. Since the ion energy is the most important processing parameter, a simple method to estimate the nitrogen ion energy from distribution of nitrogen atoms in Si implanted by PBII was developed. The implanted ion energy is discussed from the SIMS in depth profiles.
- 日本真空協会の論文
- 2005-05-20
著者
-
大倉 健作
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
田中 武
広島工業大学工学部
-
田中 武
広島工大
-
田中 武
広島工業大学
-
高木 俊宜
広島工業大学
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
渡邉 悟志
広島工業大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
近藤 洋平
広島工業大学工学部電子・光システム工学科
-
芝原 健太郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
中島 建
広島工業大学工学部電子・光システム工学科
-
渡邉 悟志
創研工業株式会社
-
横山 新
広島大学大学院先端物質科学研究科半導体集積科学専攻
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
大倉 健作
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
中島 建
Hiroshima Institute Of Technology
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