RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるA〓Nx薄膜の組成制御
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概要
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前報においてRF-DC結合形マグネトロンスパッタ法は、ターゲットに印加するDC電圧により、金属薄膜(W,Mo)の堆積速度が容易に制御可能なことを明らかにした。近年AlNは絶縁性に優れ熱伝導性が高く、広い波長域にわたって透明であることから、電子光機能材料として注目される。本研究ではRF-DC結合形マグネトロンスパッタ法の特徴を利用して、反応スパッタによりAlNx薄膜の堆積速度及び組成制御を試みたので、その結果について親告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
田中 武
広島工業大学工学部
-
田中 武
広島工大
-
川畑 敬志
広島工業大学工学部電子・光システム工学科
-
田中 武
広島工業大学
-
川畑 敬志
広島工業大学
-
峯岡 和博
広島工大・工
-
峯岡 和博
広島工業大学工学部電子工学科
-
岡本 隆徳
広島工業大学工学部
-
東 哲章
広島工業大学工学部
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