RF-DC結合型プラズマCVD法によるa-Si:H薄膜の成長速度
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概要
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SnO_2/pin構造のa-Si:H太陽電池の(p層)は、SiH_4+CH_4+B_2H_6の混合ガスをグロー放電分解することにより、SnO_2コートしたガラス基板に形成される。p眉形成時の初期過程において、SnO_2表面がプラズマ中の活性な水素ラジカルにより還元され、その構成元素がp層中に拡散し、a-Si:H太陽電池の特性を劣化させることが知られている。著者らは、通常の平行平板型プラズマCVD装置のRF電極にDCバイアス電圧を重畳することにより、水素プラズマ暴露によるSnO_2薄膜表面の酸化Snの還元が抑制されることを明らかにした。本研究は、RF-DC結合電源を用いたプラズマCVD法によるa-Si:H薄膜の成長速度について検討した。
- 1994-09-26
著者
-
田中 武
広島工業大学工学部
-
田中 武
広島工大
-
川畑 敬志
広島工業大学工学部電子・光システム工学科
-
渡辺 秀樹
広島工業大学工学部
-
税田 博文
広島工業大学工学部
-
田中 武
広島工業大学
-
川畑 敬志
広島工業大学
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