RF-DC 結合形マグネトロンスパッタ法による Mg ターゲットにおける Ar-N_2 ガスの放電特性
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概要
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Mg は水素吸蔵能力を持ったインテリジェントマテリアルとして期待される。筆者等は、RF-DC 結合形マグネトロンスパッタ法による W 薄膜成長速度の DC 制御効果を明らかにした。本研究では、Mg の窒化物である Mg_3N_2 薄膜の形成を Ar-N_2 混合ガス中、Ar^+ イオンエネルギーを直接制御できる RF-DC 結合形マグネトロンスパッタ法を用いて試みた。また、反応スパッタにおける放電特性と反応スパッタ膜の組成についても検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
田中 武
広島工大
-
川畑 敬志
広島工業大学
-
田中 武
広島工大・工
-
川畑 敬志
広島工大・工
-
右田 達夫
広島工業大学工学部電子工学科
-
亀井 竜造
広島工大・工
-
右田 達夫
広島工大・工
-
三宅 慎也
広島工大・工
-
鈴木 昌裕
広島工大・工
-
鈴木 昌裕
広島工業大学・工学部
-
亀井 竜造
広島工業大学工学部電子工学科
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