ゾル・ゲル法により形成したSiO_xの薄膜のNF_3+O_2アニール効果
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概要
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近年、電子機器、デバイスには、さまざまな機能性セラミック薄膜が、絶縁体膜、保護膜として使用されている。これらの薄膜の作製方法としては、スパッタ法や真空蒸着法などの物理的成膜法や、CVD法などの化学的成膜法が知られている。しかし、ゾル・ゲル法による薄膜の成膜法は、前述の成膜法と比較して、プロセスの簡便性、経済性、量産性の観点から注目を集めている。本研究では、ゾル・ゲル法によりSiOx薄膜を作製し、O_2およびNF_3+O_2アニールを行い薄膜組成をX線光電子分光法(XPS)により評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
田中 武
広島工業大学工学部
-
田中 武
広島工大
-
川畑 敬志
広島工業大学工学部電子・光システム工学科
-
田中 武
広島工業大学
-
川畑 敬志
広島工業大学
-
坊田 弘之
広島工業大学工学部
-
神山 慎太郎
広島工業大学工学部
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