RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるAr-N_2ガスの放電特性とTiターゲット表面組成
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概要
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近年TiNは、耐磨耗性に優れ、熱に強い高融点材料であることから、ハードコーティング材料として注目されている。TiN薄膜の作製にはAr-N_2混合ガスによる反応スパッタ法が用いられている。筆者等は、RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるW薄膜成長速度のDC制御効果を明らかにした。本研究では、Arイオンエネルギーを直接制御できるRF-DC結合形マグネトロンスパッタ法を用いて反応スパッタにおける放電特性とターゲット表面状態について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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