RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるW薄膜の成長速度へのHe添加効果
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概要
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通常のマグネトロンスパッタ法では、高周波電源(13.56MHz)または、DC電源をターゲットに印加することにより成膜を間接的に制御しているためイオンエネルギーを直接的に制御することができない。筆者らは通常産業用として使用されている13.56MHzのRFとDC電圧をターゲットに同時に印加したRF(13.56MHz)-DC結合形マグネトロンスパッタ法を用いてW薄膜を作成し、DCバイアス電圧によりターゲット電流とスパッタ率を制御できることを報告した。本研究では、RF(13.56MHz)-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるW薄膜の堆積速度のHe添加効果について調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
田中 武
広島工業大学工学部
-
田中 武
広島工大
-
川畑 敬志
広島工業大学工学部電子・光システム工学科
-
田中 武
広島工業大学
-
川畑 敬志
広島工業大学
-
岡 健一
広島工業大学工学部
-
迫 文雄
広島工業大学工学部
-
山本 智紀
広島工業大学工学部
-
渡辺 敬一郎
広島工業大学工学部
-
山本 智紀
広島工業大学工学部電子工学科
-
岡 健一
広島工業大学工学部電子工学科
-
渡辺 敬一郎
広島工業大学工学部電子工学科
-
迫 文雄
広島工業大学工学部電子工学科
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