RFバースト炭素系アフターグロー中のプラズマ密度
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2003-03-13
著者
-
田中 武
広島工業大学工学部
-
行村 建
同志社大学
-
田中 武
広島工業大学
-
高木 俊宜
広島工業大学
-
渡邉 悟志
広島工業大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
比羅岡 鉄兵
広島工業大学工学部電子工学科
-
本田 諭
広島工業大学工学部電子工学科
-
山下 智和
広島工業大学
-
行村 建
同志社大学工学部
-
本田 諭
広島工業大学
-
比羅岡 鉄兵
広島工業大学
関連論文
- 物理教育に関するシンポジウム第19回開催報告
- 2輪倒立の物理モデルから電子制御実演までの教育システム構築
- LSI設計教育におけるプロセス工程とレイアウト設計の相関について
- 集積回路の一貫設計試作評価システムに関する基礎研究
- 同軸2輪車型倒立振子の MATLAB/simulink モデルの教育への応用
- 8-218 MATLAB/simulinkを用いた倒立モデルの電子制御((7)教材の開発-I,口頭発表論文)
- 集積回路を用いたシステムの一貫教育システムの構築
- 7-327 HIT(広島工業大学)教育機構の取組み : LSI応用機器教育システムの開発(口頭発表論文,(7)教材の開発-III)
- CMOSLSI設計・製造一貫教育
- LSI設計教育への広島工業大学での取り組み : 電子デバイス分野の集積回路設計関連教育を中心として
- CMOSLSIの設計・製作・評価一貫教育システムのeラーニングシステムの構築
- 7セグメントドライバCMOSLSIの設計・製作・評価一貫教育システムの構築
- XeClエキシマレーザ励起放電におけるアーク移行と金属スペクトルの発生
- 正パルスバイアスPBII&D法によるTiNコーティングの予備実験
- RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法により作製したAl/ITO界面の評価
- RF-DC結合型プラズマCVD法によるa-Si:H薄膜の成長速度
- 初歩的な論理回路設計, 集積回路設計等で構成される実習教育のアンケート調査
- ものづくりのための企業内教育(半導体関連) : 教材作成
- チップ試作を取り入れたLSI設計教育への取り組み
- CNx成膜のためのシャンティングアークを用いた炭素・窒素混合プラズマの生成
- 初歩的な集積回路のレイアウト設計及び検証環境の構築
- 8a-Q-3 水中過渡アーク放電の陽光柱
- 5a-K-1 液中過度アーク放電の気ほう II
- 磁気駆動型シャンティングアークプラズマからのイオン引き出しとシース近辺の密度の算定
- 正バイアス電極を用いたシャンティングアークによる誘起プラズマの生成
- シャンティングアーク放電誘起プラズマの電流特性
- 全方位シャンティングアーク放電による窒素を含むアモルファスカーボン薄膜生成
- ターゲット電流を用いたシャンティングアークプラズマの密度計測
- シャンティングアークアシストRF(195kHz)放電のイオン電流とイオン密度
- シャンティングアークアシストRF(195kHz)放電の発光スペクトル
- オゾン水供給装置の作成
- プラズマイオン注入法を用いた滅菌と医学的一考察
- カーエレクトロニクスを題材とした電子情報技術の体験教育教材作成
- 二輪倒立モデルの電子制御とV字サイクル開発手法との関係
- 大気圧非平衡プラズマによるH_2/N_2/O_2系水素酸化特性とその反応メカニズム
- ZnOナノストラクチャーの化学的堆積について
- デュアルプラズマ配位におけるイオンエネルギーのガス圧力依存性
- 対向電極型大電力パルススパッタ(HPPS)グロー放電と195kHz-RF放電のハイブリッド放電におけるガス変化による電気的特性の違い
- デュアルプラズマ配位における絶縁性基材の帯電中和条件の検討
- ハイパワーパルススパッタ(HPPS)マグネトロン放電装置の特性
- 対向電極型ハイパワーパルススパッタ(HPPS)グロー放電からの金属イオンの引き出しおよび基材面のプラズマ密度
- ハイパワーパルススパッタ(HPPS)マグネトロン放電の電気的特性および発光スペクトル
- 対向電極型大電力パルススパッタ(HPPS)グロー放電と195kHz-RF放電によるハイブリッド放電の電気的特性
- シャンティングアークによる成膜プロセス
- シャンティングアーク放電プラズマの構造解析
- グリッド制御を用いたプラズマイオンプロセス
- ハイパワーパルススパッタグロー放電(HPPS)による発光スペクトルの観測およびプラズマ密度の検討
- 負パルス-デュアルプラズマ法の基礎特性とポリマー表面改質への応用
- 大気圧非平衡プラズマによる水素燃焼特性とその反応メカニズム
- ハイパワーパルススパッタグロー放電(HPPS)の電圧、電流特性および発光スペクトル
- 間欠誘電体バリア放電によるNOxガスの高効率直接脱硝
- 学部生へのICレイアウト設計・試作実験の一考察
- プラズマイオン注入法を用いた滅菌における滅菌ガス(ArとN_2)の効果
- プラズマベースイオン注入法を用いた液体材料(H_2O)からのプラズマの作成
- 高周波-直流結合形マグネトロンスパッタリングにより作成したTa/ITO界面の評価
- EXCELを用いた, 高校における集積回路のレイアウト設計教育
- CMOSレイアウト設計・検証を行う実習教育のアンケート調査
- ものづくりのための企業内教育(半導体関連) : 教育実施およびアンケート調査
- マイナスイオン発生における針状電極形状および配列の効果
- 高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法による Ta/Mo 薄膜の形成
- 棒状Si電極とPt点電極を組み合わせた姿勢センサの研究
- 不活性ガスを用いたプラズマソースイオン注入(PSII)法による滅菌プロセス
- 多重磁極形高周波マグネトロンスパッタ法によるFe薄膜のスパッタガス圧力依存症
- 棒状Si電極による弱電解液液位計測法の基礎的研究
- Fe-SiO_2グラニュラー膜のXPS分析
- 高周波 - 直流結合形マグネトロンスパッタリングによる薄膜物性制御
- C-6-14 RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるTiNi_x薄膜の作製
- 変形磁界型高周波マグネトロンスパッタ法によるNi薄膜の堆積速度
- 高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法によるNiターゲットを用いた放電特性と直流バイアスによるNi薄膜の堆積速度制御効果
- 高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法によるWN_x薄膜の作製とCu/WN_x/Si構造の拡散バリア効果
- 遺伝的アルゴリズムを用いたNAND論理回路の簡単化
- アンバランスマグネトロンスパッタ法によるCoN_x薄膜の電気的特性および結晶構造
- RF-DC結合形低圧マグネトロンスパッタ法の開発 : 放電特性とNi薄膜の堆積速度のDC制御効果
- C-6-1 アンバランスマグネトロンスパッタ法によるCo薄膜の堆積速度
- C-6-10 RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法を用いたWNx薄膜のDC電圧による組成制御効果
- C-6-1 水素プラズマ曝露によるITO薄膜表面のXPS評価
- 高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法によるSnNx薄膜の作製
- Ar-N_2混合ガスを用いた高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法による窒化マグネシウム薄膜の作製
- 高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法によるTiN_x/Si系の電気的特性
- Auスパッタリングを用いたX線光電子分光法における導電膜/絶縁基板の測定改善
- 高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法を用いたAr-N_2ガスプラズマ中のTiターゲット表面組成
- SiO_2/Si界面及びSi表面のX線光電子分光法による評価
- RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるA〓Nx薄膜の組成制御
- 光導電素子を用いた液晶空間光変調素子の設計
- ゾル・ゲル法により形成したSiO_xの薄膜のNF_3+O_2アニール効果
- RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるW薄膜の成長速度へのHe添加効果
- 水素プラズマ曝露によるSnO_2薄膜の還元
- 高周波アシスト直流マグネトロンスパッタ法による放電特性とTa薄膜の堆積速度
- RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるDC制御効果
- プラズマベースイオン注入滅菌法における窒素イオンエネルギーの推定
- プラズマベースイオン注入法を用いた窒素イオン注入表面の高分解能ラザフォード後方散乱分光法による評価
- プラズマベースイオン注入法を用いてシリコン中に注入した窒素の高分解RBSデプスプロファイル
- プラズマイオン注入法を用いてポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に成膜したカーボン薄膜の特性
- RFバースト炭素系アフターグロー中のプラズマ密度
- PSII法を用いてPETフィルム上に形成したカーボン薄膜のXPS研究
- 8-221 産官学連携した大規模集積回路・プロセス工学教育システムの構築((19)産学連携教育-III)
- 物理教育に関するシンポジウム第17回および研究発表会開催報告
- 基本的な集積回路設計および半導体プロセス工学教育システムの構築
- DCマグネトロンスパッタリングにおける放電特性のターゲット材料仕事関係依存性
- CMOSアクティブインダクタを適応した電圧制御発振器の検討