高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作(多量量子ドットと機能性)
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概要
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単電子トランジスタ(SET)は超低消費電力・超高集積化を実現する次世代のデバイスとして期待されている。特にSi SETは現在までのSi集積化技術の蓄積を利用できるメリットを持っている。しかしながら現状では室温で安定的な動作を実現することは容易ではない。そこで我々は高温動作の点で有利と考えられる、多重ドットをもつSi SETを作製した。また高濃度ドープしたSETの特徴により、クーロン島、ゲート、ソース、ドレインを1つのマスクで作製することが可能であり、作製プロセスが簡略化される。作製したSETは室温でクーロン振動を示し、最大77の電流の山谷比(PVCR)が得られた。PVCRが大きいことは回路動作にとって有利であり、我々はこの多重ドットSETを排他論理和回路へ応用し、室温で回路動作に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-19
著者
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