ダイナミック酸化膜電界ストレス下でのチャージポンピング電流に起因する界面トラップ形成(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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ダイナミック及びスタティック電界ストレス下で、プラズマ窒化により形成した極薄ゲート酸窒化膜を有するn及びpチャネルMOSFETの界面トラップ形成を系統的に調べた。ダイナミックストレスとして、広範囲の周波数領域(1-10^7Hz)で、バイポーラ及びユニポーラの矩形波状のストレス電界を印加した。バイポーラストレス下で10^4Hz以上の周波数領域において、n及びpチャネルMOSFETの両方について、周波数の増加につれて界面トラップが著しく増加する現象が観測された。この界面トラップの著しい増加は、ダイナミックストレス条件下でのチャージポンピング電流に密接に関連している。界面準位にトラップされた電子の存在によって、基板のホールがゲート絶縁膜へトンネルし易くなり、界面トラップの増加につながると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
中島 安理
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
ZHU Shiyang
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
大橋 拓夫
エルピーダメモリ株式会社
-
三宅 秀治
エルピーダメモリ株式会社
-
三宅 秀治
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
-
三宅 秀治
エルピーダメモリ(株) Technology & Development Office Research & Development Group
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