AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
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概要
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SiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上のため,平面部とトレンチ側壁で厚膜が均一に形成可能であり,また窒素組成を40%までの範囲で制御可能であるアルミニウム酸窒化物(AlON)ゲート絶縁膜技術を開発した Al2O3膜中への窒素添加が電子トラップ低減に効果的であることを示すと共に,シミュレーションと実測を通じて界面S1O2層とAlON膜厚比率の最適化も行ったAlONゲート絶縁膜を搭載した平面型及びトレンチ型MOSFETで, S1O2単層ゲート絶縁膜の場合と比較して,同等の電流駆動力,ゲートリーク電流の大幅低減,絶縁破壊耐圧の向上を実現した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-23
著者
-
志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
-
中村 亮太
ローム株式会社研究開発本部
-
細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
中村 孝
ローム株式会社
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
-
中野 佑紀
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
-
中村 亮太
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
-
箕谷 周平
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
-
東雲 秀司
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
-
柏木 勇作
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
-
保坂 重敏
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
-
浅原 浩和
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
-
中野 佑紀
ローム株式会社
-
中野 佑紀
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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