浅原 浩和 | ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

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概要

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• 同名の論文著者
• ローム株式会社新材料デバイス研究開発センターの論文著者

関連著者

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 中村 孝

  ローム株式会社

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科

• 中村 亮太

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 東雲 秀司

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 柏木 勇作

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 保坂 重敏

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 浅原 浩和

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社

• 中村 亮太

  ローム株式会社研究開発本部

• 中野 佑紀

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 箕谷 周平

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

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著作論文

• AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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