強誘電体不揮発性メモリの開発動向
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概要
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強誘電体メモリは高速性・高集積性・低消費電力性などに非常に優れており,既存半導体メモリの大部分を置き換える可能性を持つメモリデバイスとして注目されている.強誘電体材料にPZT(Pb(Zr,Ti)O_3)系を用いて256kbitまでのメモリは既に製品化が行われており,今後市場が拡大していくものと予想される.本論文では,強誘電体メモリの特徴とその応用について述べ,更なる高集積化・大容量化のために必要なプロセス技術について触れる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-25
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