Ir系電極を用いた強誘電メモリ形成技術
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概要
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- 1997-06-05
著者
-
中村 孝
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
-
神澤 公
ローム(株)
-
藤森 敬和
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
-
中尾 雄一
ローム株式会社VLSI研究開発部
-
中村 孝
ローム(株)半導体ディバイス研究開発部
-
泉 直希
ローム(株)
-
藤森 敬和
ローム(株)
-
中尾 雄一
ローム(株)
-
神澤 公
ローム株式会社vlsi研究開発部
-
中村 孝
ローム(株)
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