中村 孝 | ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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概要
関連著者
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中村 孝
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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中村 孝
ローム株式会社
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高須 秀視
ローム株式会社研究開発本部
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高須 秀視
ローム株式会社
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藤森 敬和
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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藤森 敬和
ローム株式会社 半導体デバイス研究開発部
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羽生 貴弘
東北大学電気通信研究所
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亀山 充隆
東北大学大学院情報科学研究科
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神澤 公
ローム(株)
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木村 啓明
東北大学大学院情報科学研究科
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ローム株式会社VLSI研究開発部
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中村 孝
ローム
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神澤 公
ローム株式会社vlsi研究開発部
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中野 佑紀
ローム株式会社研究開発本部
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ローム株式会社研究開発本部
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ローム株式会社研究開発本部
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ローム(株)半導体ディバイス研究開発部
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中村 孝
ローム(株)
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奈良女子大学食物栄養学科
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舟木 剛
大阪大学
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羽生 貴弘
東北大学大学院情報科学研究科
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井上 裕康
奈良女子大・生活環境・食物栄養
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井上 裕康
大阪大学
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神澤 公
ローム株式会社 半導体研究開発部 半導体プロセス研究開発部
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中村 孝
ロームVLSI研究開発部
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中尾 雄一
ロームVLSI研究開発部
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干場 一博
ロームVLSI研究開発部
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鮫島 克己
ロームVLSI研究開発部
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神澤 公
ロームVLSI研究開発部
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高須 秀視
ロームVLSI研究開発部
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井上 裕康
奈良女・生活環境・食物科学
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ローム(株)
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藤森 敬和
ローム(株)
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中尾 雄一
ローム(株)
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笹川 将
ローム
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中野 佑紀
京大院・工
著作論文
- 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
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- 強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- 強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
- 強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
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- 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
- 強誘電体薄膜のNDRO不揮発性メモリ応用への研究
- SiC素子を用いたDC-DCコンバータの動作に関する一検討
- 蓄積容量型強誘電体メモリーの量産化と評価技術
- メモリ用PZT薄膜の開発と応用
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- 強誘電体不揮発性メモリの開発動向
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- Ir系電極を用いた強誘電メモリ形成技術
- Pb(Zr,Ti)O_3膜による強誘電体メモリーの開発
- PZT薄膜の不揮発性メモリ応用