高須 秀視 | ローム株式会社

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概要

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関連著者

• 高須 秀視

  ローム株式会社

• 中村 孝

  ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

• 高須 秀視

  ローム株式会社研究開発本部

• 中村 孝

  ローム株式会社

• 高須 秀視

  ローム

• 藤森 敬和

  ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

• 藤森 敬和

  ローム株式会社 半導体デバイス研究開発部

• 山田 昭政

  産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム

• 仁木 栄

  産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム

• 松原 浩司

  (独)産業技術総合研究所

• 松原 浩司

  産総研

• 岩田 拡也

  産総研

• 松原 浩司

  産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター

• 中原 健

  ローム株式会社研究開発本部光デバイス研究開発センター

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所

• 亀山 充隆

  東北大学大学院情報科学研究科

• 木村 啓明

  東北大学大学院情報科学研究科

• フォンス ポール

  産業技術総合研究所電力エネルギー研究部門薄膜太陽電池グループ

• Fons P

  産業技術総合研

• 山田 昭政

  産業技術総合研究所

• 仁木 栄

  産業技術総合研究所

• 山田 昭政

  電子技術総合研究所

• 中野 佑紀

  ローム株式会社研究開発本部

• 中村 亮太

  ローム株式会社研究開発本部

• 長尾 勝久

  ローム株式会社研究開発本部

• 高須 秀視

  ローム(株) 取締役 半導体研究開発本部

• 中原 健

  ローム株式会社 光デバイス研究開発部

• 田辺 哲弘

  ローム株式会社 光デバイス研究開発部

• 岩田 拡也

  電子技術総合研究所 光技術部

• 松原 浩司

  電子技術総合研究所 光技術部

• 仁木 栄

  電子技術総合研究所 光技術部

• 高須 秀視

  ローム(株)

• 田辺 哲弘

  ローム株式会社光デバイス研究開発部

• 松原 浩司

  電子技術総合研究所

• 中村 亮太

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社

• 松島 理

  ローム株式会社

• 宮崎 憲一

  ローム株式会社

• 高岡 将樹

  ローム株式会社

• 前川 拓滋

  ローム株式会社

• 白神 弘章

  ローム株式会社

• 関口 大志

  ローム株式会社

• 淵上 貴昭

  ローム株式会社

• 守分 政人

  ローム株式会社

• 石塚 尚吾

  産業技術総合研究所

• 櫻井 啓一郎

  産業技術総合研究所

• 羽生 貴弘

  東北大学大学院情報科学研究科

• 神澤 公

  ローム(株)

• 神澤 公

  ローム株式会社 半導体研究開発部 半導体プロセス研究開発部

• 仁木 栄

  産総研

• フォンス ポール

  電子技術総合研究所

• 中尾 雄一

  ローム株式会社VLSI研究開発部

• 岩田 拡也

  産業技術総合研究所

• FONS Paul

  産業技術総合研究所 光技術研究部門光エレクトロニクス材料グループ 電力エネルギー研究部門薄膜太陽電池グループ

• フォンス ポール

  産総研

• 山田 昭政

  産総研

• 中原 健

  ローム

• 中原 健

  ローム(株) 半導体研究開発本部 光デバイス研究開発部

• フンガー ラルフ

  電子技術総合研究所 光技術部

• ポール フォンス

  電子技術総合研究所光技術部

• 石塚 尚吾

  産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム

• ラルフ フンガー

  電子技術総合研究所光技術部

• 中野 佑紀

  京大院・工

• 神澤 公

  ローム株式会社vlsi研究開発部

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著作論文

• CuInGaSe_2薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• 強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
• 強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• 強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
• 強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
• STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
• STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
• 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
• PZT薄膜強誘電体メモリ(FRAM)
• ラジカルソースMBEによるSi基板上ZnO薄膜の作製
• 半導体グレードの酸化物単結晶薄膜
• RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
• パートナーシップにおける質の変化とそのマネジメント : 最も遅く研究に着手しても, 最も早く製品化するには(「マネジメントにおける質(Quality)の変化・拡大-21世紀の管理技術の体系化をめざして-」)
• RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長

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