中原 健 | ローム株式会社 光デバイス研究開発部
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概要
関連著者
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中原 健
ローム株式会社 光デバイス研究開発部
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松原 浩司
(独)産業技術総合研究所
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松原 浩司
産総研
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松原 浩司
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
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仁木 栄
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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中原 健
ローム株式会社研究開発本部光デバイス研究開発センター
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高須 秀視
ローム株式会社
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山田 昭政
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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山田 昭政
電子技術総合研究所
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高須 秀視
ローム
著作論文
- RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
- 酸化亜鉛系透明導電膜
- RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
- 25aHG-2 MgZnO/ZnOヘテロ構造における高移動度希薄二次元電子の量子ホール状態(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))