仁木 栄 | 産総研
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概要
関連著者
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仁木 栄
産総研
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仁木 栄
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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柴田 肇
(独)産業技術総合研究所
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柴田 肇
産総研エレクトロニクス
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柴田 肇
電総研
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反保 衆志
産総研
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柴田 肇
産総研
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柴田 肇
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
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反保 衆志
産業技術総合研究所
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高増 正
物材機構
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今中 康貴
物材機構
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今中 康貴
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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高増 正
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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竹端 寛治
物材機構
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横井 裕之
熊大自然
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松原 浩司
(独)産業技術総合研究所
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高須 秀視
ローム株式会社
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横井 裕之
熊大院自然
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黒田 規敬
熊大院自然
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山田 昭政
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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松原 浩司
産総研
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横井 裕之
産総研
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フォンス ポール
産業技術総合研究所電力エネルギー研究部門薄膜太陽電池グループ
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Fons P
産業技術総合研
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高須 秀視
ローム
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岩田 拡也
産総研
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津川 晃一
熊大院自然
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熊谷 雄児
熊大院自然
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竹端 寛治
物材機構ナノマテ研
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松原 浩司
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
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フォンス ポール
産総研
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山田 昭政
産総研
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中原 健
ローム
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中原 健
ローム株式会社研究開発本部光デバイス研究開発センター
著作論文
- 26aXD-5 ZnO 2次元電子系のサイクロトロン共鳴(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pZB-9 MBE成長Zn_Mg_xO/ZnO/sapphireの斜入射ヘテロ残留線反射(高密度励起現象・励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- ラジカルソースMBEによるSi基板上ZnO薄膜の作製
- 25aWQ-11 ZnMgO/ZnOヘテロ接合試料における磁気光学測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))